[发明专利]溅射蚀刻工具及衬层

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于蚀刻的设备，且更特定来说涉及一种等离子蚀刻反应室。

背景技术

机电系统包含具有电元件及机械元件、激活器、变换器、传感器、光学组件(例如，反射镜)及电子器件的装置。机电系统可以多种尺度制造，包含(但不限于)微尺度及纳米尺度。例如，微机电系统(MEMS)装置可包含具有在约1微米到数百微米或更大的范围内的大小的结构。纳米机电系统(NEMS)装置可包含具有小于一微米的大小(包含例如小于数百纳米的大小)的结构。可使用沉积、蚀刻、光刻及/或蚀除衬底及/或经沉积材料层的部分或添加层以形成电装置及机电装置的其它微机械加工工艺产生机电元件。

一种类型的机电系统装置称为干涉式调制器(IMOD)。如本文使用，术语干涉式调制器或干涉式光调制器指代使用光学干涉原理选择性地吸收及/或反射光的装置。在一些实施方案中，干涉式调制器可包含一对导电板，所述对导电板中的一者或两者可为全部或部分透明及/或具反射性且能够在施加适当电信号之后相对运动。在一实施方案中，一个板可包含沉积于衬底上的静止层，且另一板可包含通过气隙与所述静止层分离的金属膜。一个板相对于另一板的位置可改变入射在所述干涉式调制器上的光的光学干涉。干涉式调制器装置具有广泛的应用，且预期用于改进现有产品及产生新产品，尤其为具有显示能力的产品。

可使用各种处理工具(例如，也可用以制造集成电路(IC)的一类型的沉积及蚀刻(例如，等离子蚀刻)工具)来制造上文提及的机电系统装置。

发明内容

本发明的系统、方法及装置各自具有若干创新方面，所述若干创新方面的单单一者不单独负责本文揭示的所要属性。

可在等离子蚀刻系统中实施本发明中描述的标的物的一个创新方面。所述等离子蚀刻系统包含等离子蚀刻反应室、入口、阴极及非中空阳极。所述入口可经配置以与所述反应室流体连通。所述阴极可包含定位于所述反应室内的衬底支撑件。所述非中空阳极可定位于所述入口与所述阴极之间的反应室内。所述入口可经配置以将处理气体引入所述反应室中，使得允许所述处理气体的至少一部分跨所述阳极的上表面且在所述阳极的边缘周围流动。

在一些实施方案中，所述等离子蚀刻反应室可包含溅射蚀刻反应室。在一些实施方案中，所述阳极实质上可未穿孔穿过其厚度。

可在等离子蚀刻系统中实施本发明中描述的标的物的另一创新方面。所述等离子蚀刻系统包含用于等离子蚀刻反应的室、用于传导电荷的阴极装置、用于传导电荷的阳极装置及流体连通装置。所述流体连通装置可用于提供流体到所述室中并跨所述阳极装置的上表面、围绕所述阳极装置的外缘引导所述流体的至少一些，且引导所述流体的至少一些到所述阳极装置与所述阴极装置之间的等离子反应区中。

在一些实施方案中，所述室可包含溅射蚀刻反应室。在一些实施方案中，所述流体连通装置可包含气体入口，且所述阳极装置包含定位于所述气体入口与所述阴极装置之间的非中空板。

可以等离子蚀刻衬底的方法实施本发明中描述的标的物的另一创新方面。所述对衬底进行等离子蚀刻的方法可包含提供等离子蚀刻反应室、经配置以与所述反应室流体连通的入口、经配置以支撑衬底的阴极以及所述入口与所述阴极之间的反应室内的阳极。所述阴极可经配置以相对于所述阳极负向偏压。所述方法可包含将处理气体引入所述反应室中，使得所述处理气体的至少一部分撞击所述阳极的上表面且跨所述上表面且在所述阳极的边缘周围流动。所述方法可包含在所述阳极与所述阴极之间激发等离子。

在一些实施方案中，所述对衬底进行等离子蚀刻的方法还可包含从通过所述阴极支撑的衬底的至少一部分蚀刻材料。在一些实施方案中，蚀刻可包含溅射蚀刻。

附图中及下文描述中陈述本说明书中描述的标的物的一个或一个以上实施方案的细节。从所述描述、所述图式及权利要求书将明白其它特征、方面及优点。注意下列图式的相对尺寸可能不是按比例绘制。

附图说明

图1展示描绘干涉式调制器(IMOD)显示装置的一系列像素中两个相邻像素的等角视图的实例。

图2展示说明并入有3x3干涉式调制器显示器的电子装置的系统框图的实例。

图3展示说明图1的干涉式调制器的可移动反射层位置对施加电压的图的实例。

图4展示说明在施加各种共同电压及分段电压时干涉式调制器的各种状态的表格的实例。

图5A展示说明图2的3x3干涉式调制器显示器中的显示数据的帧的图的实例。