[发明专利]无线装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及无线装置及其制造方法，特别涉及具有高频电路的无线装置。

背景技术

主要在微波、毫米波段，使用例如金（Au）或者焊料的凸点（bump），将高频IC芯片组装在组装基板上的倒装片组装被广泛使用。在倒装片组装中，由于可以通过短距离（最短）连接组装基板和高频IC芯片，所以可以减小连接间的损耗。

根据图17说明一例。作为模块的母基板的组装基板1，例如使用陶瓷基板，例如，作为高频IC，将放大器的MMIC（单片微波集成电路）芯片4的电路通过凸点6连接到输入输出端子2、3。进而，为了增强连接，或者密封MMIC芯片4，在组装基板1和MMIC芯片4之间填充树脂作为底部填充剂7。

但是，如果填充上述的底部填充剂7，则由于寄生电容增大，所以MMIC芯片4的特性偏向低频侧，而且，产生增益降低的特性恶化。

因此，提出了不易受到倒装片组装的填充剂的影响的微波、毫米波电路装置（参照专利文献1）。

图18是表示专利文献1中记载的以往例子的倒装片组装的微波、毫米波电路装置的图。微波、毫米波电路装置对于组装基板1，倒装片组装对置配置的MMIC芯片4。MMIC芯片4在内测设置包围电路5的绝缘壁11，在外侧施加底部填充剂7。按照该方式，由于以包围电路5（主部）来形成绝缘壁11，所以即使施加底部填充剂7，树脂也不进入电路5的下面，电路特性变化的情况少。

现有技术

专利文献

专利文献1：日本专利特开2000-269384号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，专利文献1中记载的进行了倒装片组装的微波、毫米波电路装置，MMIC芯片4需要在内测设置包围电路5的绝缘壁11，在外侧施加底部填充剂7。因此，在专利文献1的结构中，MMIC芯片4的电路5的下面成为空洞，难以得到足够的组装强度。

而且，由于高频IC芯片的制造偏差（工艺偏差（process variance）），高频IC芯片的特性也产生偏差的情况下，有电路特性变化，并且作为模块性能恶化的情况。

即，存在即使可以抑制倒装片组装中的特性恶化，仍残存起因于高频IC芯片的工艺偏差的特性恶化，作为模块的合格率降低的课题。

本发明是鉴于上述实际情况而完成的，目的是提供确保组装强度，而且抑制了特性恶化的无线装置及其制造方法。

用于解决课题的手段

因此，本发明是无线装置，包括：组装基板；倒装片组装在所述组装基板上的高频IC芯片；以及在所述高频IC芯片和所述组装基板之间填充的底部填充剂，其特征在于，所述高频IC芯片包括：构成主电路的元件单元；以及检测所述高频IC芯片的工艺偏差的工艺偏差检测单元，所述底部填充剂具有与检测到的所述工艺偏差对应的参数。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述工艺偏差检测单元具有作为所述元件单元的一部分的功能。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述工艺偏差检测单元在所述高频IC芯片中与所述元件单元分离。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述工艺偏差检测单元使用晶体管构成。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述工艺偏差检测单元使用环形振荡器构成。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述底部填充剂的参数是作为底部填充剂填充的材料的介电常数。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述底部填充剂的参数是所述高频IC芯片和所述组装基板之间的距离。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述高频IC芯片经由凸点与所述组装基板连接，所述凸点在所述高频IC芯片中被非对称地配置。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述高频IC芯片与所述组装基板之间的底部填充剂，在倒装片组装了所述高频IC芯片的区域内厚度不同。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述工艺偏差检测单元使用工艺控制监视器（PCM，Process Control Monitor）数据。

而且，在本发明的所述的无线装置中，所述工艺偏差是在填充所述底部填充剂之前测量出的值。

本发明是无线装置的制造方法，特征在于，包括：制造具有构成主电路的元件单元、和工艺偏差检测单元的高频IC芯片的步骤；使用所述高频IC芯片的所述工艺偏差检测单元检测工艺偏差的步骤；以及填充与在所述进行检测的步骤中检测到的数据相应的参数的底部填充剂，在组装基板上组装所述高频IC芯片的步骤。

发明效果