[实用新型]一种多晶硅还原炉高压启动装置有效
申请号: | 201220622080.0 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN202968132U | 公开(公告)日: | 2013-06-05 |
发明(设计)人: | 冯志斌;吴小鸣;李文光;罗宇;曾晓立;陈忠苑;艾波 | 申请(专利权)人: | 北京三义锦程电气科技有限责任公司;昆明冶研新材料股份有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王道川 |
地址: | 102613 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 多晶 还原 高压 启动 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种多晶硅还原炉高压启动装置。
背景技术
多晶硅还原炉高压启动装置的功能是把多晶硅还原炉中的130℃左右的多晶硅硅芯加热到1100℃左右。多晶硅硅芯在130℃左右呈现100KΩ左右的电阻,在1100℃左右呈现10Ω左右的电阻。因此,低温阶段必须在多晶硅硅芯施加6—12KV的高压,才能产生升温所需要的加热功率。
现有技术中多晶硅还原炉高压启动装置采用380V电源给可控硅调压器供电,可控硅调压器输出的可调电压再经过升压变压器输出最高电压6—12KV的可调电压。6—12KV的高压一方面要求多晶硅硅芯两端对大地按照较高的绝缘设计,另一方面减少了多晶硅硅芯两端电极绝缘套的寿命。
实用新型内容
针对现有技术中存在的不足,本实用新型的目的在于提供一种多晶硅还原炉高压启动装置,既可以降低多晶硅硅芯两端对大地的绝缘设计要求,又可以延长多晶硅硅芯两端电极绝缘套的寿命。
本实用新型的技术方案是这样实现的:一种多晶硅还原炉高压启动装置,包括一个高压启动电路,所述高压启动电路由一个可控硅调压器和一个升压变压器组成,可控硅调压器的电流输入端与380V电源电连接,可控硅调压器的电流输出端与升压变压器的原边线圈电连接,升压变压器的副边线圈的一端与多晶硅硅芯的其中一端电连接,升压变压器的副边线圈的另一端与多晶硅硅芯的另一端电连接,还包括一个中间抽头,中间抽头的一端与升压变压器的副边线圈的中点电连接,中间抽头的另一端与大地电连接。
本实用新型的有益效果是:既可以降低硅芯两端对大地的绝缘设计要求,同时也可以延长硅芯两端电极绝缘套的寿命,提高了经济效益。
附图说明
图1为本实用新型多晶硅还原炉高压启动装置的电路原理示意图。
图中:1-可控硅调压器,2-升压变压器,3-中间抽头,4-多晶硅硅芯,201-原边线圈,202-副边线圈。
具体实施方式
结合附图对本实用新型做进一步的说明:
如图1所示,本实施例多晶硅还原炉高压启动装置包括一个高压启动电路和一个中间抽头3,所述高压启动电路由一个可控硅调压器1和一个升压变压器2组成,可控硅调压器1的电流输入端与380V电源电连接,可控硅调压器1的电流输出端与升压变压器2的原边线圈201电连接,升压变压器2的副边线圈202的一端与多晶硅硅芯4的其中一端电连接,升压变压器2的副边线圈202的另一端与多晶硅硅芯4的另一端电连接,中间抽头3的一端与升压变压器2的副边线圈202的中点电连接,中间抽头3的另一端与大地电连接。
在本实施例的多晶硅还原炉高压启动装置中,多晶硅硅芯4的两端对大地的绝缘电压是升压变压器2输出最高电压的一半。一方面降低了多晶硅硅芯4两端对大地的绝缘设计要求,另一方面延长了多晶硅硅芯4两端电极绝缘套的寿命;同时又可保证多晶硅硅芯4的发热功率。
上述实施例仅仅是为清楚地说明本实用新型创造所作的举例,而并非对本实用新型创造具体实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本实用新型的精神和原则之内所引伸出的任何显而易见的变化或变动仍处于本实用新型创造权利要求的保护范围之中。
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