[实用新型]定点切割机的晶圆样品制备模板装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及晶圆的失效分析，特别是涉及一种定点切割机的晶圆样品制备模板装置。

背景技术

在晶圆级失效分析(Wafer Level FA)的物理结构中，截面分析(Cross Section)是一种常用和有效地物理分析方法。使用的失效分析工具主要有截面加工工具和截面观察设备，其中，截面加工工具包括定点切割机(SELA)和聚焦离子束分析仪(FIB)等，截面观察设备包括光学显微镜(OM)和扫面电子显微镜(SEM)等。在截面分析时，一般先将晶圆样品放入截面加工工具中，利用截面加工工具制备出截面样品，再将截面样品的截面放到截面观察设备下进行观察、分析。

随着半导体行业的不断发展，45°晶格的晶圆(Wafer)得到了越来越广泛的应用。目前针对45°晶格的wafer，对于一些分析结构(Pattern)尺寸大于10μm的大尺寸结构的样品，如垫片(Pad)，或一些重复结构的晶圆样品，截面样品制备难度制备不大，可以使用手工裂片的方法直接进行截面样品制备，但此方法的局限性就是只能针对大Pattern或重复结构，而且样品制备成功率也比较低；而对于一些分析结构尺寸小于10μm的小尺寸结构的样品，已经超过手工裂片精度的极限，所以必须借助于一定的截面加工工具，如定点切割机或聚焦离子束分析仪。其中，聚焦离子束分析仪的加工精度高，可以对45°的方向经行切割，所以针对小Pattern采用聚焦离子束分析仪来制备，成功率高，但是截面加工时间较长，成本也较高，没有效率，所以需要利用定点切割机，以提高截面加工的效率。

使用定点切割机进行截面加工前，需要先将整个晶圆制备成晶圆样品，其中，晶圆样品的大小约为10mm×20mm，晶圆样品中具有目标(Target)点，目标为晶圆中需要进行截面分析的地方。使用定点切割机进行截面加工时，将之前制备好的晶圆样品放入定点切割机，定点切割机对准目标点对晶圆样品进行切割，制备成截面样品。但由于定点切割机的切割方向受限制，无法精确地将45°晶格wafer中的目标沿晶格方向进行切割。所以要想使用定点切割机制备截面样品，就需要沿晶格方向对定点切割机的晶圆样品进行制备。

因此，如何沿晶格方向对定点切割机的晶圆样品进行制备，从而提高定点切割机制备截面样品的速度和成功率，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种定点切割机的晶圆样品制备模板装置，以解决现有的无法为定点切割机提供合适的晶圆样品的问题，使定点切割机可以精确地将具有角度晶格的晶圆中的目标沿晶格方向进行切割，从而提高截面样品的制备速度与效率。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种定点切割机的晶圆样品制备模板装置，包括：

校准部件，具有至少一直线；

定位部件，所述定位部件为条形，宽度大于等于10mm，长度大于等于20mm，所述定位部件与所述校准部件相连接，所述定位部件与所述校准部件的至少一直线之间具有夹角；

标记，所述标记包括用于第一方向定位的第一标记、第二标记及用于第二方向定位的第三标记和第四标记，所述第一标记、第二标记、第三标记和第四标记均位于所述定位部件上，所述第一标记与第二标记的第一方向的距离为18mm～22mm，所述第三标记与第四标记的第二方向的距离为8mm～12mm，所述第一方向为所述定位部件的长度方向，所述第二方向为所述定位部件的宽度方向；以及

样品孔，用于确定目标位置，所述样品孔位于所述定位部件上，所述样品孔中心的第一方向位置位于所述第一标记与第二标记的第一方向的距离的二分之一处。

进一步的，所述校准部件包括至少一条形主体，所述直线为所述条形主体的一边。

进一步的，所述条形主体与定位部件固定连接。

进一步的，所述定位部件与所述条形主体的条形边长之间的夹角为30°～60°。

进一步的，所述条形主体的宽度为5mm～20mm，长度为20mm～400mm。

进一步的，所述校准部件还包括用于测量所述定位部件与所述条形主体之间的夹角的部件，所述部件与所述条形主体相连。

进一步的，所述条形主体与定位部件旋转连接。

进一步的，所述定位部件与所述条形主体的夹角为0°～90°可调。

进一步的，所述样品孔的直径小于等于3mm。

进一步的，所述定位部件的长度为20mm～400mm。

进一步的，所述样品孔中心的第二方向位置位于所述第三标记与第四标记的第二方向的距离的二分之一处。