[实用新型]高电源抑制比的基准稳压电路结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及专用集成电路领域，特别涉及稳压源的电源纹波抑制方法和相应的电路架构技术领域，具体是指一种高电源抑制比的基准稳压电路结构。

背景技术

模拟电路的能隙源是一种常用的稳压结构，现有技术中常规的电路结构请参阅图1所示。可以通过以下公式（1）、（2）、（4）联立得到Va点的电压：

V_be1-V_be2=I_CN2*R₁                                       ……（1）

Vbe1-Vbe2=VT*lnISN2ISN1*ICN1ICN2---(2)]]>

ΔVbe=Vbe1-Vbe2=VT*lnISN2ISN1*ICN1ICN2=ICN2*R1---(3)]]>

I_S与发射区面积比成正比，I_SN2/I_SN1为两个NPN管的面积比。I_CN1=I_CN2：

Va=2*I_CN2*R₂+Vbe                                        ……（4）

电压Va称为能隙基准电压。它可以提供给电路内部作为良好的恒压、恒流源。此恒压、恒流源经电阻分压或经驱动管驱动提供给电路内部，作为电路工作的多组电压源、多组电流源。