[实用新型]高电源抑制比的基准稳压电路结构

权利要求书

1.一种高电源抑制比的基准稳压电路结构，其特征在于，所述的电路结构中包括供电三极管和依次级联连接的预基准电压源电路模块、次级基准电压源电路模块，所述的预基准电压源电路模块的输入端通过所述的供电三极管与供电电源相连接，所述的预基准电压源电路模块的输出端与所述的次级基准电压源电路的输入端相连接，且该次级基准电压源电路的输出端为该电路结构的输出端。

2.根据权利要求1所述的高电源抑制比的基准稳压电路结构，其特征在于，所述的供电三极管为PNP型三极管，该PNP型三极管的发射极与所述的供电电源相连接，该PNP型三极管的集电极与所述的预基准电压源电路模块的输入端相连接，且该PNP型三极管的基极与外部控制电路相连接。

3.根据权利要求1所述的高电源抑制比的基准稳压电路结构，其特征在于，所述的供电三极管为NPN型三极管，该NPN型三极管的集电极与所述的供电电源相连接，该NPN型三极管的发射极与所述的预基准电压源电路模块的输入端相连接，且该NPN型三极管的基极与外部控制电路相连接。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的高电源抑制比的基准稳压电路结构，其特征在于，所述的预基准电压源电路模块为能隙基准电压源电路，其中包括共发射极且共基极的第一PNP型三极管（P1）和第二PNP型三极管（P2）、共基极的第二NPN型三极管（N2）和第三NPN型三极管（N3），所述的第一PNP型三极管（P1）与第二PNP型三极管（P2）的发射极为该预基准电压源电路模块的输入端，所述的第一PNP型三极管（P1）与第二NPN型三极管（N2）共集电极，且该第一PNP型三极管（P1）的集电极与第八PNP型三极管（P8）的基极相连接，该第八PNP型三极管（P8）的发射极与该预基准电压源电路模块的输入端相连接，且该第八PNP型三极管（P8）的集电极接地；所述的第二PNP型三极管（P2）与第三NPN型三极管（N3）共集电极，且该第二PNP型三极管（P2）的集电极与基极相连接；所述的第三NPN型三极管（N3）的发射极通过依次串接的第一电阻（R1）和第二电阻（R2）接地，且所述的第二NPN型三极管（N2）的发射极接于该第一电阻（R1）和第二电阻（R2）之间；所述的第三NPN型三极管（N3）的基极通过第三电阻（R3）与该预基准电压源电路模块的输出端相连接，且该第三NPN型三极管（N3）的基极通过第四电阻（R4）接地。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的高电源抑制比的基准稳压电路结构，其特征在于，所述的次级基准电压源电路模块为能隙基准电压源电路，其中包括共栅极且共发射极的第三绝缘栅双极晶体管（P3）和第四绝缘栅双极晶体管（P4）、共发射极且共基极的第五PNP型三极管（P5）和第六PNP型三极管（P6）、共基极的第五NPN型三极管（N5）和第六NPN型三极管（N6），第三绝缘栅双极晶体管（P3）和第四绝缘栅双极晶体管（P4）的发射极为该次级基准电压源电路模块的输入端，该第三绝缘栅双极晶体管（P3）的集电极与栅极相连接，且该第三绝缘栅双极晶体管（P3）的集电极与第四NPN型三极管（N4）的集电极相连接，所述的第四绝缘栅双极晶体管（P4）的集电极与所述的第五PNP型三极管（P5）与第六PNP型三极管（P6）的发射极相连接，且该第四绝缘栅双极晶体管（P4）的集电极与第七NPN型三极管（N7）的基极相连接；所述的第四NPN型三极管（N4）与所述的第五NPN型三极管（N5）和第六NPN型三极管（N6）共基极，且该第四NPN型三极管（N4）的发射极通过第五电阻（R5）接地；所述的第七NPN型三极管（N7）的集电极与该次级基准电压源电路模块的输入端相连接，且该第七NPN型三极管（N7）的发射极通过第八电阻（R8）接地；所述的第五PNP型三极管（P5）与第五NPN型三极管（N5）共集电极，且该第五PNP型三极管（P5）的集电极与第九PNP型三极管（P9）的基极相连接，该第九PNP型三极管（P9）与所述的第五PNP型三极管（P5）和第六PNP型三极管（P6）共发射极，且该第九PNP型三极管（P9）的集电极接地；所述的第六PNP型三极管（P6）与第六NPN型三极管（N6）共集电极，且该第六PNP型三极管（P6）的集电极与基极相连接；所述的第六NPN型三极管（N6）的发射极通过依次串接的第六电阻（R6）和第七电阻（R7）接地，且所述的第五NPN型三极管（N5）的发射极接于该第六电阻（R6）和第七电阻（R7）之间；所述的第六NPN型三极管（N6）的基极为该次级基准电压源电路模块的输出端，且该第六NPN型三极管（N6）的基极通过第八电阻（R8）接地。