[实用新型]一种规模化连续制备二维纳米薄膜的装置

权利要求书

1.一种规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于依次设有进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9)，其中：

进料腔室(1)设有与大气相通的阀门(10)，进料腔室(1)与处理腔室(2)之间设有阀门(11)，处理腔室(2)与第一平衡腔室(3)之间设有阀门(12)，第一平衡腔室(3)与第一薄膜制备腔室(4)之间设有阀门(13)，第一薄膜制备腔室(4)与第二平衡腔室(5)之间设有阀门(14)，第二平衡腔室(5)与第二薄膜制备腔室(6)之间设有阀门(15)，第二薄膜制备腔室(6)与第三平衡腔室(7)之间设有阀门(16)，第三平衡腔室(7)与化学气相沉积腔室(8)之间设有阀门(17)，化学气相沉积腔室(8)与出料腔室(9)之间设有阀门(18)，出料腔室(9)设有与大气相通的阀门(19)；

进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9)的腔室内均设有样品传送装置；

进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9) 中的至少一个的腔室设有抽真空装置；

第一薄膜制备腔室(4)和第二薄膜制备腔室(6)的至少一个的腔室内设有物理气相沉积系统； 

进料腔室(1)、处理腔室(2)、第一平衡腔室(3)、第一薄膜制备腔室(4)、第二平衡腔室(5)、第二薄膜制备腔室(6)、第三平衡腔室(7)、化学气相沉积腔室(8)和出料腔室(9)中的至少一个腔室设有一个或二个以上的气体连接口；

化学气相沉积腔室(8)的腔室内设有加热装置。

2.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的物理气相沉积系统包括离子束沉积系统、溅射沉积系统、电子束沉积系统、热蒸镀沉积系统、激光沉积系统、离子注入系统中的任意一种或二种以上的组合。

3.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的化学气相沉积腔室(8)中还设有等离子体增强化学气相沉积系统、微波等离子体化学气相沉积系统、气溶胶辅助化学气相沉积系统、电感耦合等离子体化学气相沉积系统中的任意一种或二种以上的组合。

4.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的处理腔室(2)、第一薄膜制备腔室(4)和第二薄膜制备腔室(6)中的至少一个腔室内设有加热装置。

5.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述处理腔室(2)内设有样品处理装置。

6.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于它还设有控制系统，所述的控制系统包括样品传送控制系统、气路控制系统、真空控制系统、阀门控制系统或温度控制系统中的任意一种或二种以上的组合。

7.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的样品传送装置包括滚轮、皮带轮和传送带中的任意一种或二种以上的组合。

8.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的处理腔室(2)、第一薄膜制备腔室(4)、第二薄膜制备腔室(6)和化学气相沉积腔室(8)中的至少一个腔室内设有隔热屏蔽系统。

9.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的处理腔室(2)、第一薄膜制备腔室(4)、第二薄膜制备腔室(6)和化学气相沉积腔室(8)中的至少一个腔室的腔壁设有冷却系统。

10.根据权利要求1所述的规模化连续制备二维纳米薄膜的装置，其特征在于所述的二维纳米薄膜包括石墨烯、金属硫族化物、硅烯、锗烯或氮化硼薄膜。