[实用新型]一种基板支撑梢有效
申请号: | 201220160486.1 | 申请日: | 2012-04-16 |
公开(公告)号: | CN202796877U | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 王守坤;孙亮 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 李娟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 支撑 | ||
技术领域
本实用新型涉及基板制造领域,尤其是一种基板支撑梢。
背景技术
在液晶显示器的生产线中,通常采用对基板加热的方法成膜。需要将基板放置在基板支撑件上,通过基板支撑件内部的加热元件对其进行加热。而加热前的基板需要先放置在基板支撑梢(pin)上,通过基板支撑梢的升降将玻璃基板缓降到基板支撑件的上表面,进而实现加热过程。
目前生产线上所用的基板支撑梢是温度不可控的实心材料制成,在基板实际加热的过程中,会有两种情况:
第一种是基板支撑梢在基板被加热时与基板接触,此种情况下,基板支撑梢的温度低于周围基板的温度,会通过热传递吸收被加热的基板上的热量,从而导致基板此处的膜质较差、薄膜场效应晶体管的电学性质降低;
第二种是基板支撑梢与被加热的基板有一段的间隔距离,此种情况下,容纳基板支撑梢的孔洞处与周围温度不一致,同样会导致孔洞处的基板形成的膜质较差、薄膜场效应晶体管的电学性质降低。
以上两种情况都会导致成品后的液晶显示器视觉不均匀的现象,使产线的良率降低,因此生产线需要一种能减少此类现象发生的新设计。
实用新型内容
为改进现有技术中存在的问题,本实用新型提出一种基板支撑梢,用以改善基板在被加热时表面温度存在差异的问题。
本实用新型提出的基板支撑梢,包括基板支撑梢本体,还包括:
内置在所述基板支撑梢本体中的加热装置,以及
电连接所述加热装置并控制加热装置工作状态的第一控制设备。
所述基板支撑梢,还包括:
温度感测装置,位于所述基板支撑梢本体的内部,用于感应基板支撑梢周围区域的温度,并将温度信号发送至第二控制设备;
第二控制设备,与第一控制设备和温度感测装置分别信号连接,用于根据收到的温度信号向第一控制设备发送控制信号,则所述第一控制设备根据收到的控制信号控制加热装置的工作状态。
优选的,所述基板支撑梢还包括:位于所述基板支撑梢本体中的冷却装置,以及与所述冷却装置连接、用于控制冷却装置对基板支撑梢本体进行冷却的第三控制设备,所述第三控制设备与第二控制设备信号连接,通过第二控制设备控制。
所述冷却装置可以为为冷却液体管。
所述冷却装置可以为冷却气体进气管和冷却气体排气管,所述冷却气体进气管的末端设有可使基板支撑梢顶端均匀降温的多孔喷气装置。
所述多孔喷气装置为带有多个气孔的管状结构或带有多个气孔的喷头装置。
所述基板支撑梢为中空结构,所述加热装置和所述温度感测装置,位于中空结构内靠近基板支撑梢的顶端处。
可选地,所述第三控制设备为电磁阀。
可选的,所述温度感测装置为热电偶或测温探头。
可选的,所述加热装置为电热丝或电磁加热装置。
本实用新型提出的基板支撑梢,通过在基板支撑梢内部设置加热装置,测量周围温度的温度感测装置以及降温装置,使基板支撑梢能够很好的实现温度调节,从而使基板在被加热的过程中不会出现局部温度过低而导致膜质较差、薄膜场效应晶体管的电学性质降低的情况,从而减少了成品后的液晶显示器视觉不均匀的现象,提高了成品率,减少了生成残品的可能性,节约了成本。
附图说明
为清楚描述本实用新型及其有益效果,结合以下附图对实施例的进行详细描述,其中:
图1是本实用新型实施例提供的基板、基板支撑件、基板支撑梢、以及与第一控制设备和第二控制设备连接的结构示意图;
图2是本实用新型实施例提供的第一种基板支撑梢的结构示意图;
图3是本实用新型实施例提供的第二种基板支撑梢的结构示意图;
图4是本实用新型实施例提供的第三种基板支撑梢的结构示意图。
附图标记:
2-加热装置 3-第一控制设备 12-基板支撑件
11-基板 4-温度感测装置 8-第二控制设备
7-冷却液体管 511-管状结构 512-喷头装置
6-第三控制设备 51-冷却气体进气管 52-冷却气体排气管
10-基板支撑销本体
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造