[实用新型]顶针盖结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种顶针盖结构，其是用于推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒。

背景技术

现今晶圆(Wafer)的制造技术与切割技术，以及晶粒(Die)取放技术已经日趋成熟。

承上所述，现今的晶粒制程，其是将晶圆放置于一具有粘附性的薄膜的晶圆环中，而后将晶圆切割出复数个所需尺寸的晶粒，再将经切割的晶圆连同晶圆环一并送入晶粒取放机中，以取得所需的晶粒。

当具有已切割的晶圆的晶圆环放置于一晶粒取放机中时，位于晶粒环下方的顶针盖的操作模式有两种，其一是顶针盖具有移动模式，即顶针盖相对于晶粒的位置移动，另一是顶针盖不具有移动模式，即晶粒相对于顶针盖的位置移动。

请配合参考图1所示，当晶圆环移动至顶针盖1的上方，或者顶针盖1移动至晶圆环的下方，顶针盖1通过吸孔10提供一负压，以吸附薄膜20，顶针11穿过顶针盖1推抵薄膜20，以使薄膜20与晶粒21呈分离状，取放装置2得以吸取晶粒21。

请配合参考图2所示，现今的顶针盖1，若以其中心线来区分的话，顶针盖1的长边与短边的比例为1∶1，所以较常见的顶针盖1的形状是圆形或方形。

然而，现今的晶粒21因功能与设计的条件，而导致晶粒21的尺寸日渐细长，因现今的顶针盖1的移动模式是上述的两种方式，当顶针盖1移动至接近晶圆环22的内缘处，或者晶圆环22的内缘处移动至接近顶针盖1处时，顶针盖1与晶圆环22的内缘就会发生碰撞的情况，即业界通称干涉I，请见图2。

为了避免此一情况发生，每当顶针盖1欲顶出邻近晶圆环22的内缘的晶粒21时，晶粒取放机会取消顶针盖1移动至此一位置的指令，或者取消晶圆环22移动的指令，而使该位置的晶粒21另由人工取出。

综合上述，现有的顶针盖1因其形状，导致其无法顶出邻近晶圆环22的内缘的晶粒21，而需要使用人工方能取出晶粒21，使得晶粒21取放技术充满不便性，故现有的顶针盖1仍有需要改善的空间。

发明内容

有鉴于上述的缺点，本实用新型的目的在于提供一种顶针盖结构，其是能够推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，而使取放晶粒的制程得以全面自动化，进而使得晶粒取放技术具有便利性，并能降低制造晶粒的成本。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：

一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1。

该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。

该盖体的形状为多边形。

该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。

该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。

为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案还包括：

一种顶针盖结构，其是应用于具有晶粒的晶圆，其特征在于，该顶针盖结构包含有：

一个盖体，其顶面具有至少一个孔，该盖体的顶面进一步具有一个晶粒顶出区，该盖体相对于该晶粒顶出区，该盖体更进一步具有至少一个长边与至少一个短边，该长边的长度除以该短边的长度的比值大于1.5。

该盖体的顶面进一步具有至少一个气道，该气道与该孔相通。

该盖体的形状为多边形。

该盖体的形状为椭圆形、长方形、菱形、六边形或八边形。

该晶圆为8或12英寸的晶圆，该晶粒的宽度小于2mm，该晶粒的长度大于25mm。

与现有技术相比较，采用上述技术方案的本实用新型具有的优点在于：本实用新型的顶针盖结构是改变盖体的长边与短边的比例，而使本实用新型的盖体的形状成为细长状的多边形，故相较于现有的顶针盖，本实用新型的顶针盖结构得以推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，所以无须使用任何人工推抵邻近晶圆环的内缘的晶粒，进而使取放晶粒的制程得以全面自动化，故可节省人工的支出，并能达到节省制作成本的效果，以及使得晶粒取放技术具有便利性。

附图说明

图1是现有的顶针盖于实际使用时的剖面示意图；

图2是现有的顶针盖与晶圆环于干涉时的示意图；

图3是本实用新型的顶针盖的第一实施例的立体外观图；

图4是本实用新型的顶针盖的第一实施例的示意图；

图5是本实用新型的顶针盖与晶圆环的示意图；