[发明专利]一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件制造方法，包括下列步骤：

1)在衬底上依次外延生长缓冲层、n型氮化镓基外延层、有源层和p型氮化镓基层；

2)在p型氮化镓层上表面蚀刻出凹槽；

3)用金属反射材料填充p型氮化镓层上的凹槽；填充所述凹槽的金属反射层厚度略大于凹槽深度,使金属反射层部分从所述凹槽中溢出；

4)制备电流阻挡层，该电流阻挡层覆盖所述金属反射材料；在空气下对所述金属反射层进行热退火处理或者在氧气环境下做快速退火，在所填充的金属反射层表面形成金属氧化物，该金属氧化物形成所述电流阻挡层；

5)在电流阻挡层制备透明导电层，最后再制备p型电极和n型电极；

所述凹槽由多个间隙性柱状孔洞组成，所述多个间隙性柱状孔洞排列成的形状与所述p型电极图案匹配。

2.根据权利要求1所述的发光元件制造方法，其特征在于，所述步骤3)中，所述金属反射材料为铝、银、铑或者它们中任意二者或三者的合金。

3.根据权利要求2所述的发光元件制造方法，其特征在于，所述步骤3)中，通过电子束蒸镀方法或者磁控溅射方法或者化学镀膜方法得到所述金属反射层。

4.根据权利要求2所述的发光元件制造方法，其特征在于，所述凹槽的深度不小于

5.根据权利要求3所述的发光元件制造方法，其特征在于，填充所述凹槽的金属反射层不小于

6.根据权利要求1所述的发光元件制造方法，其特征在于，所述步骤3)中，所述凹槽的形状与p型电极图案匹配。

7.根据权利要求1所述的发光元件制造方法，其特征在于，所述步骤4)中，所述电流阻挡层可置换为绝缘性氧化物层或致密性金属层。

8.根据权利要求1所述的发光元件制造方法，其特征在于，所述步骤4)中，所述电流阻挡层可置换为二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、镉或铂层。

9.一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件,其特征在于，该发光元件按权利要求1～8中任意一项所述的发光元件制造方法制成。

10.一种具有反射和电流阻挡特性的发光元件,包括衬底和依次制备在所述衬底上的缓冲层、n型氮化镓层、有源层、p型限制层、p型氮化镓层，p型氮化镓层上表面具有凹槽，凹槽中具有金属反射层，金属反射层上表面制备有电流阻挡层，所述电流阻挡层为所述金属反射层的金属氧化后形成的金属氧化物层，所述金属反射层与所述p型氮化镓层之间形成金属原子扩散层；电流阻挡层上制备透明电流扩展层，所述n型氮化镓层上制备有n极金属焊垫，所述透明电流扩展层上制备有p极金属焊垫；所述凹槽由多个间隙性柱状孔洞组成，所述多个间隙性柱状孔洞排列成的形状与所述p型电极图案匹配。

11.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述金属反射层为铝、银、铑或者它们中任意二者或三者的合金层。

12.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述金属反射层为铝反射层，所述电流阻挡层为氧化铝层，所述铝反射层与所述p型氮化镓层的凹槽之间具有铝原子扩散层。

13.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述电流阻挡层可置换为绝缘性氧化物层或致密性金属层。

14.根据权利要求13所述的发光元件，其特征在于，所述电流阻挡层可置换为二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、镉或铂层。

15.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述凹槽的形状与p型电极图案匹配。

16.根据权利要求11所述的发光元件，其特征在于，所述凹槽是一个形状与所述p型电极图案匹配的连续的凹槽，或者所述凹槽由多个间隙性柱状孔洞组成，所述多个间隙性柱状孔洞排列成的形状与所述p型电极图案匹配。