[发明专利]一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210550143.0 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103014624A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 万磊;徐进章;邹鹏;孟明明;王仁宝;毛小丽;牛海红 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 吴启运 |
| 地址： | 230009 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 光吸收 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，其特征在于按以下步骤操作：
将镀钼玻璃衬底置于多源热蒸发镀膜系统的衬底上并抽真空至5×10-4Pa，将铜、铟、镓和硒的束源炉温度分别升至1100-1250℃、900-1000℃、950-1100℃以及200-300℃并分别保持恒定；将衬底温度升温至250-450℃并保持恒定，首先向镀钼玻璃衬底表面蒸镀铟、镓和硒10-15分钟；铟、镓和硒蒸镀结束后将衬底温度升温至450-650℃并在升温的同时蒸镀铜和硒12-16分钟；铜和硒蒸镀结束后保持衬底温度不变再蒸镀铟、镓和硒3-6分钟；铟、镓和硒蒸镀结束后将衬底温度降至室温得到CIGS薄膜。
2.一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法，包括共蒸和硫化各单元过程，其特征在于：
所述共蒸是将镀钼玻璃衬底置于多源热蒸发镀膜系统的衬底上并抽真空至5×10-4Pa，将铜、铟、镓和硒的束源炉温度分别升至1100-1250℃、900-1000℃、950-1100℃以及200-300℃并保持恒定；将衬底温度升温至250-450℃并保持恒定，首先向镀钼玻璃衬底表面蒸镀铟、镓和硒10-15分钟；铟、镓和硒蒸镀结束后将衬底温度升温至450-650℃并在升温的同时蒸镀铜和硒12-16分钟；铜和硒蒸镀结束后保持衬底温度不变再蒸镀铟、镓和硒3-6分钟；铟、镓和硒蒸镀结束后将衬底温度降至室温得到CIGS薄膜；
所述硫化是将所述CIGS薄膜置于在快速升温炉的衬底上，炉内抽真空至5×10-1Pa，向炉内通入氩气和硫化氢气体，氩气和硫化氢气体的总流量300-400sccm；通过卤钨灯辐照使温度升至350-550℃并保温5-60分钟，随后降至室温，得到CIGSSe薄膜。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：
氩气和硫化氢气体的流量比为20-50：1。
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