[发明专利]一种减小掩膜版拼接误差的方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种减小掩膜版拼接误差的方法。

背景技术

随着薄膜晶体管液晶显示器的面板尺寸不断增大，各TFT-LCD厂家纷纷投资高世代生产线，以期生产出更大尺寸的面板。由于面板尺寸的增大，需要利用若干个较小尺寸的掩膜版进行多次分步曝光，形成较大尺寸的面板，再通过一定的设计和排布来实现大尺寸面板的功能。

采用掩膜版拼接，多次分步曝光技术可以制造出大尺寸的面板，但是掩膜版拼接时，相邻的两块掩膜版之间具有相同的曝光图案区域，形成拼接区域，如图1所示，第一掩膜版1和第二掩膜版2拼接，其相邻的边缘为拼接区域3，拼接区域3所对应的曝光图案，相较于一次曝光量多了一次曝光，所以拼接区域3的图形会和非拼接区域的图形不同，如图2中所示的由于重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形A变窄以及图3中所示的由于重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形A变宽的情形；同样由于拼接过程中的工艺偏差，也会使拼接区域的图形和非拼接区域的图形不同，如图4中所示的因掩膜版对接时出现偏差而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形A断线的情形。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何避免掩膜版拼接区域曝光和刻蚀后的图案与非拼接区域曝光和刻蚀后的图案有差异的现象。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供一种减小掩膜版拼接误差的方法，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。

其中，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较窄时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行加大。

其中，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较宽时，则对掩膜版上所述拼接区域的曝光图案的宽度进行减小。

其中，当所述拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形发生偏移，使刻蚀后图形断线时，则对掩膜版上所述拼接区域发生偏移的曝光图案朝着偏移相反的方向的宽度和长度进行加大。

进一步地，上述进行结构补偿后的掩膜版上的曝光图案的边缘线为直线、折线或弧线。

（三）有益效果

上述技术方案所提供的减小掩膜版拼接误差的方法，根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿，通过掩膜版的补偿设计，可以消除由于重复曝光和工艺偏差对拼接区域曝光图案的失真处理，保证拼接区域刻蚀后图形和非拼接区域刻蚀后图形的一致性，提高产品的良率。

附图说明

图1是利用掩模板拼接进行曝光时两块掩模板的拼接示意图；

图2是现有技术中因重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形变窄的示意图；

图3是现有技术中因重复曝光而导致的拼接曝光区域在刻蚀后图形变宽的示意图；

图4是现有技术中因掩膜版对接时出现偏差而导致的拼接曝光区域断线的示意图；

图5至图7是本发明实施例中针对图2中刻蚀后图形变窄所设计的掩膜版的结构示意图；

图8是本发明实施例中针对图3中刻蚀后图形变宽所设计的掩膜版的结构示意图；

图9是本发明实施例中针对图4中刻蚀后断线所设计的掩膜版的结构示意图。

其中，1：第一掩膜版；2：第二掩膜版；3：拼接区域；A：刻蚀后图形。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本实施例所提供的减小掩膜版拼接误差的方法，是根据相邻的两块掩膜版拼接区域上曝光图案在重复曝光后刻蚀形成的图形结果，逆向对掩膜版上的所述拼接区域的曝光图案进行结构补偿。所谓逆向补偿即是进行与所述图形结果相反的结构补偿。

具体地，针对图2中所示的拼接区域3上曝光图案在重复曝光后形成的刻蚀后图形A与非拼接区域上曝光图案在一次曝光后刻蚀形成的图形相比较窄的现象，本实施例中对掩膜版上拼接区域3的曝光图案的宽度进行加大，如图5至图7中任一结构所示，加宽后的曝光图案的边缘线条不局限于图5所示的直线，也可以是图6所示的折线，或图7所示的弧线，或者其它曲线等。