[发明专利]波长为808nm的大功率激光器芯片结构及其制作方法

权利要求书

1.一种波长为808nm的大功率激光器芯片结构，其特征在于，包括：

一衬底(0)，其为100取向的掺Si的N型GaAs层，其中Si掺杂浓度>1×10¹⁸cm^-3；

一缓冲层(1)，其为掺Si的N型GaAs层并形成于衬底(0)上，其中Si掺杂浓度>2×10¹⁸cm^-3；

一第一渐变限制层(2)，其为掺Si的N型Al_xGa_1-xAs层并形成于缓冲层(1)上，其中Si掺杂浓度>2×10¹⁸cm^-3，x=0.1-0.5；

一第一波导层(3)，其为掺Si的N型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第一渐变限制层(2)上，其中Si掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3；

一第二波导层(4)，其为掺Si的N型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第一波导层(3)上，其中Si掺杂浓度为2-5×10¹⁷cm^-3；

一第一量子阱垒层(5)，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7As层并形成于第二波导层(4)上；

一量子阱有源层(6)，其为非掺杂In_0.1Al_0.12Ga_0.78As层并形成于第一量子阱垒层(5)上；

一第二量子阱垒层(7)，其为非掺杂Al_0.3Ga_0.7As层并形成于量子阱有源层(6)上；

一第三波导层(8)，其为掺C的P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于第二量子阱垒层(7)上，其中C掺杂浓度为2-5×10¹⁷cm^-3；

一腐蚀停止层(9)，其为掺C的P型InGaP层并形成于第三波导层(8)上，其中C掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3；

一第四波导层(10)，其为掺C的P型Al_0.5Ga_0.5As层并形成于腐蚀停止层(9)上，其中C掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3；

一第二渐变限制层(11)，其为掺C的P型Al_xGa_1-xAs层并形成于第四波导层(10)上，其中C掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3，x=0.5-0.1；

一欧姆接触层(12)，其为掺C的P型GaAs层并形成于第二渐变限制层(11)上，其中C掺杂浓度为5×10¹⁹cm^-3；

一绝缘介质层(13)，其为SiN层并形成于欧姆接触层(12)上；

一P型上电极(14)，其为TiPtAu层并形成于欧姆接触层(12)上；

一N型下电极(15)，其为Au-Ge-Ni层并形成于衬底(0)的下面。

2.如权利要求1所述的大功率激光器芯片结构，其特征在于，所述腐蚀停止层(9)的厚度为10nm。

3.如权利要求1所述的大功率激光器芯片结构，其特征在于，所述绝缘介质层(13)的厚度为250nm，折射率为2.0。

4.如权利要求1所述的大功率激光器芯片结构，其特征在于，所述P型上电极(14)的厚度为2μm。

5.如权利要求1所述的大功率激光器芯片结构，其特征在于，所述N型下电极(15)的厚度为5000μm。