[发明专利]一种瓷环的处理工艺

说明书

技术领域

本发明涉及了一种瓷环的处理工艺，属于加速器的电真空技术领域。

背景技术

以往，加速管制造中氧化铝瓷与金属材料的封接技术均采用胶结（低温：≤200℃）法或钼—锰（高温：约1650℃）法。胶结法由于使用的胶体技术至今未突破，致使加速管的超高真空性能差；高温法由于瓷件需要经过金属化高温烧结，瓷零件的成品率极低（约5%），致使材料成本居高不下，制造厂难以承受。

为了提供可用于超高真空条件下的加速管，对氧化铝瓷与金属材料的封接技术进行了研究，采用金属活性法封接技术解决了高温钼—锰法工艺中瓷件烧结变形的问题，但有产品在装机一年后发生了慢性真空泄露。对产品的解剖和分析后确认，造成慢性真空泄漏的主要因素有：1.金属材料的加工精度不符合技术要求；2.氧化铝瓷的配方未严格执行电真空行业标准；3.瓷件的加工精度不符合技术要求；4.氧化铝瓷加工后表面存在不良的状况。

前三项问题通过相关生产流程更加严格的检验工序能够得以解决，如何解决第4点问题，即氧化铝瓷加工后表面的显微状况，成为了加速管制造工艺中的一个技术瓶颈。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种瓷环的处理工艺，解决瓷件加工后表面不良的状况，提高了瓷零件的成品率，完善了加速管生产制造的流程。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案是： 

一种瓷环的处理工艺，包括如下步骤：

   步骤（1）：瓷件评定：利用观察显微镜评定瓷件母材的玻璃相参数；

   步骤（2）：机加工：对瓷件按照相应的技术要求进行机加工；

   步骤（3）：封接面评定：利用观察显微镜对机加工后的瓷件的封接面的玻璃相情况进行评定；

   步骤（4）：烘焙：根据步骤（3）中的评定结果设定烘焙工序的技术参数，将机加工后的瓷件进行烘焙；

   步骤（5）：将烘焙后的瓷件进行封接处理。

前述的一种瓷环的处理工艺，其特征在于：在对瓷件进行烘焙之前利用去油清洗剂对瓷件进行超声波水洗。

前述的一种瓷环的处理工艺，其特征在于：所述步骤（4）中对瓷件进行烘焙的温度为850℃-1200℃。

前述的一种瓷环的处理工艺，其特征在于：所述步骤（1）中玻璃相的占有度不小于2%则评定为合格。     本发明的有益效果是：通过对机加工后的瓷件进行玻璃相评定，根据评定结果设定相应的烘焙温度，使瓷件表面因机加工而断裂的玻璃相连接，母材内的玻璃相析出，且保证瓷件无变形现象出现，解决了瓷件加工后表面存在不良显微状况的问题，提高了瓷零件的成品率，完善了加速管生产制造的流程。

具体实施方式

下面将结合具体实施方式，对本发明作进一步的说明。

   本发明提供的一种瓷环的处理工艺，包括如下步骤：

    步骤（1）：瓷件评定：利用观察显微镜评定瓷件母材的玻璃相参数；通常瓷件母材在显微镜的目镜的可见区域内，其玻璃相的占有度不低于2%则认为该瓷件母材合格，通过对瓷件母材的评定，提高了最后加工后的瓷零件的成品率；

   步骤（2）：机加工：对瓷件按照相应的技术要求进行机加工；

   步骤（3）：封接面评定：利用观察显微镜对机加工后的瓷件的封接面的玻璃相情况进行评定；观察机加工后的瓷件的表面玻璃相断裂情况，为后续烘焙温度提供参考依据；

 步骤（4）：烘焙：根据步骤（3）中的评定结果设定烘焙工序的技术参数，将机加工后的瓷件进行烘焙，将瓷件表面因机加工而断裂的玻璃相连接起来，使瓷件母材内的玻璃相析出，且保证保证瓷件无变形现象出现，解决了瓷件加工后表面存在不良显微状况的问题；

    步骤（5）：将烘焙后的瓷件进行封接处理。

其中，对瓷件进行烘焙之前利用去油清洗剂对瓷件进行超声波水洗，便于瓷件表面因机加工而产品的杂质清洗赶紧，保证烘焙质量。

步骤（4）中对瓷件进行烘焙的温度为850℃-1200℃，在该温度范围内烘焙，既能满足将断裂玻璃相连接，瓷件母材内的玻璃相析出，又能保证瓷件不会因高温烧结而导致成品率降低。

综上所述，本发明提供的一种瓷环的处理工艺，解决瓷件加工后表面不良的显微状况，提高了瓷零件的成品率，完善了加速管生产制造的流程。

以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界。