[发明专利]一种碱性化学机械抛光液无效
| 申请号： | 201210496768.3 | 申请日： | 2012-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN103849317A | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王晨;王雨春;何华锋 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C23F3/04 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碱性 化学 机械抛光 | ||
1.一种碱性化学机械抛光液，其含有研磨颗粒、聚乙烯醇和氧化剂，其中，所述抛光液还含有铜腐蚀抑制剂A和铜腐蚀抑制剂B，其中，所述铜腐蚀抑制剂B既有铜腐蚀抑制作用，也具备络合作用。
2.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂B是1，2，4-三氮唑（TAZ）。
3.根据权利要求2所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂B的质量百分比含量是0.005-0.1wt％。
4.根据权利要求3所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂B的质量百分比含量是0.01-0.03wt％。
5.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂A是三氮唑及其衍生物。
6.根据权利要求5所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂A是苯骈三氮唑（BTA），甲基苯骈三氮唑TTA和/或其衍生物。
7.根据权利要求6所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂A的质量百分比含量是0.005-0.3wt％。
8.根据权利要求7所述的抛光液，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂A的质量百分比含量是0.04-0.1wt％。
9.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒为二氧化硅。
10.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒的质量百分比含量是1-20wt％。
11.根据权利要求10所述的抛光液，其特征在于：所述的研磨颗粒的质量百分比含量是10-15wt％。
12.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的聚乙烯醇是PVA1788和/或PVA1799。
13.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的聚乙烯醇的质量百分比含量是0.05-0.4wt％。
14.根据权利要求13所述的抛光液，其特征在于：所述的聚乙烯醇的质量百分比含量是0.1-0.2wt％。
15.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂为双氧水。
16.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述的氧化剂的质量百分比含量是0.1-1wt％。
17.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液的pH值为8至12。
18.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液还含有聚乙烯吡咯烷酮（PVP）。
19.根据权利要求18所述的抛光液，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮为K17，K15和/或K30。
20.根据权利要求18所述的抛光液，其特征在于：所述聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的质量百分比含量是0.1-0.5wt％。
21.根据权利要求1所述的抛光液，其特征在于：所述抛光液不包含络合剂。
22.根据权利要求1-21任一项所述的抛光液，其在阻挡层抛光中的应用。
23.铜腐蚀抑制剂A和铜腐蚀抑制剂B在调节铜表面抛光中提高腐蚀抑制强度中的应用。
24.根据权利要求23所述的应用，其特征在于：所述铜腐蚀抑制剂A为苯骈三氮唑（BTA），甲基苯骈三氮唑（TTA）和/或其衍生物，所述铜腐蚀抑制剂B为1，2，4-三氮唑（TAZ）。
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