[发明专利]利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法无效
申请号: | 201210473445.2 | 申请日: | 2012-11-21 |
公开(公告)号: | CN102931117A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 吴伟;仲高艳;顾庆东 | 申请(专利权)人: | 苏州矽科信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 反射 原理 测量 传输 变形 方法 | ||
1.一种利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法,其特征在于,包括步骤:
S1,在晶圆载台旁安装激光发射器和刻度尺,获取给定厚度测试块在刻度尺上数据,并在晶圆片圆心及圆周等分点上加以标记;
S2,传输晶圆片到晶圆载台上方,获取晶圆片圆心标记处在刻度尺上数据;
S3,移动并转动激光发射器和刻度尺,依次获取晶圆片圆周各标记处在刻度尺上数据;
S4,根据晶圆片各标记处及测试块在刻度尺上数据,计算晶圆片变形量并绘制晶圆变形曲线。
2.根据权利要求1所述的利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法,其特征在于,所述步骤S1具体包括:
S11,所述的晶圆载台(1)安装于测量平台(2)上,晶圆载台(1)的上平面与测量平台(2)的上平面平行,均为水平面;
S12,所述的激光发射器(3)安装于立柱(4)上,并可绕着水平安装的销(5)在铅直面内转动,激光发射器(3)的高度可上下调节,所述的立柱(4)可在测量平台(2)上前后左右移动并可绕铅直线转动,所述的刻度尺(8)可在测量平台(2)上前后左右移动并可绕铅直线转动;
S13,调整激光发射器(3)高度至合适位置,用锁紧螺钉(图中未标出)锁紧,调整激光光束铅直向下,调整立柱(4)位置,使激光光束在测量平台(2)上的照射点A在晶圆载台(1)水平中心线O1O2在测量平台(2)铅直投影线的延长线上,调整刻度尺(8)位置,使刻度线下端点位置B在晶圆载台(1)水平中心线O2O1在测量平台(2)铅直投影线的延长线上;
S14,在晶圆载台(1)上平面水平中心线右端点O2上作标记,转动激光发射器(3)角度,将激光打在O2点上,获取O2点在刻度尺上数据O′2;
S15,在晶圆载台(1)上放置给定厚度的测试块(6),以O2点为起点,沿铅直线向上,在测试块(6)的上表面上作标记点P2,使O2P2距离等于测试块(6)的厚度,转动激光发射器(3)角度,将激光打在P2点上,获取P2点在刻度尺上数据P′2;
S16,在晶圆片(7)上作圆心及圆周n等分点标记ai,其中,i=0,1,2,……n。
3.根据权利要求1所述的利用光反射原理测量晶圆传输中变形量的方法,其特征在于,所述步骤S2具体包括:
S21,移走测试块(6),用传输机械手(图中未标出)将做好标记的晶圆片(7)传输到晶圆载台(1)上方,并使晶圆片中心a0的铅直投影与晶圆载台中心O重合,晶圆片(7)圆周上第一个标记a1的铅直投影与晶圆载台水平中心线重合;
S22,调整激光光束铅直向下,沿水平线同步向左平移立柱(4)和刻度尺(8),移动距离为晶圆载台半径R0,保证激光光束在测量平台(2)上的照射点C与刻度线下端点位置D之间的距离等于AB之间的距离;
S23,转动激光发射器(3)角度,将激光打在晶圆片圆心标记a0处并反射到刻度尺上,获取晶圆片圆心标记在刻度尺上数据b0。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矽科信息科技有限公司,未经苏州矽科信息科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210473445.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:汽车备胎升降器的升降机构
- 下一篇:一种排泥运输电动小车
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造