[发明专利]一种LVDS线缆的屏蔽方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LVDS线缆的屏蔽方法，属于线缆信号屏蔽技术领域。

背景技术

LVDS(Low Voltage Differential Signaling低压差分信号)线缆一种是广泛应用于宇航产品的线缆，LVDS信号是一种低压摆幅的差分信号技术，具有更高的比特率，更低的功耗和更稳定的可靠性而被广泛使用。然而受传统工艺限制，线缆的屏蔽层在距接插件5mm-20mm处截止，该缝隙仅进行绝缘处理，成为线缆辐射发射的主要途径。使用该线缆的单机在进行辐射发射类测试时，经常会出现超出限值要求的现象。此现象广泛出现于各类使用LVDS线缆的航天产品中，亟需改进屏蔽设计方法，适应型号应用需求。

发明内容

本发明的技术解决问题是：提出了一种LVDS线缆的屏蔽方法，在不破坏LVDS线缆原有优良特性的情况下，对其电磁兼容性能进行优化，提高其电磁屏蔽度。

本发明的技术解决方案是：

一种LVDS线缆的屏蔽方法，所述LVDS线缆包括接插件和线缆两部分，线缆由内到外依次为线芯、屏蔽层、绝缘层，步骤如下：

(1)将线缆一端的屏蔽层和绝缘层剥开，露出线芯，将线芯与对应的接插件插针作相连加工，去除剥开的屏蔽层和绝缘层；

(2)对步骤(1)中得到的线缆靠近接插件的部分，将绝缘层再次剥开，露出屏蔽层；

(3)使用屏蔽材料作二次加强屏蔽层处理。

所述作二次加强屏蔽层处理是指：使用屏蔽材料将从露出的屏蔽层到接插件内腔体底部之间的部分再次包裹，形成二次加强屏蔽层。所述二次加强屏蔽层与所述露出的屏蔽层之间为360°搭接。二次加强屏蔽层与所述露出的屏蔽层之间进行搭接的搭接电阻小于10mΩ。所述露出线芯的长度为25-40mm。

步骤(2)中所述将绝缘层再次剥开的长度为8～10mm。

本发明与现有技术相比的有益效果是：

(1)本发明方法大大减少LVDS线缆对外辐射发射的量值，优化了线缆本身的电磁屏蔽性能，从而可以使得使用该线缆的射频单机辐射指标增强，确保宇航型号任务的完成；

(2)使用本发明方法制作的LVDS电缆，同时还能减小外界电磁干扰对LVDS线缆本身的串扰，从而提高设备的抗扰度；

附图说明

图1为LVDS线缆上传输的时钟信号为周期性矩形脉冲；

图2为依照传统工艺制作的LVDS线

图3为将LVDS线缆的绝缘层剥开10mm示意图

图4为二次加强屏蔽处理示意图

图5为本发明流程图

具体实施方式

一般航天器有多个射频设备使用LVDS线缆，并在线缆中传递信号，时钟信号是最常见的一种，其信号形式如图1所示，tr：上升时间；tf：下降时间；τ：脉冲宽度；T：周期；A：幅度。该类信号含有丰富的高频分量，容易向空间辐射电磁波。由于线缆屏蔽层与接插件之间屏蔽不连续，存在约5mm-20mm的缝隙；同时，线缆以及接插件中未使用的线芯也为设备内部信号向外辐射提供途径导致时钟以及其谐波信号外漏，使得用LVDS线缆的射频单机普遍存在辐射发射测试项超差，超差频点集中在时钟及其谐波频点处。在分系统级的自兼容测试中，发现了与单机测试结果一致的现象，分系统的杂散指标不满足要求，航天器无法达到自兼容，直接影响航天器的飞行任务

本发明着重从二次加强屏蔽、空置线芯双端接地两方面实现LVDS线缆的电磁兼容性能的优化。

本发明提供了一种LVDS线缆的屏蔽方法，如图5所示，步骤如下：

第一步：依照传统工艺，进行LVDS线缆的加工制作，LVDS线缆由接插件和线缆两部分加工而成，其中线缆由内到外依次为线芯、屏蔽层、绝缘层。首先将线缆的一端的屏蔽层和绝缘层剥开，露出约25-40mm的线芯长度。依照LVDS线缆制作要求，将线芯与对应的接插件插针作相连加工，去除剥开的屏蔽层和绝缘层，得到依照传统工艺加工而成的LVDS线缆，线缆与接插件间有5-20mm的缝隙，如图2所示，图中1为插接件，2为线芯，3为线缆。

第二步：对步骤(1)中得到的线缆靠近接插件的部分，将绝缘层再次剥开，露出屏蔽层，剥开长度为8～10mm，如图3所示，图中，图中1为插接件，2为线芯，3为线缆，4为屏蔽层，5为绝缘层。