[发明专利]一种LVDS线缆的屏蔽方法无效
| 申请号： | 201210437568.0 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102969081A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 李冉;徐军;倪子楠;盛北飞;陈海波;张亚洁;李红林;刘晓 | 申请（专利权）人： | 北京空间飞行器总体设计部 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B13/22 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lvds 线缆 屏蔽 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种LVDS线缆的屏蔽方法，所述LVDS线缆包括接插件和线缆两部分，线缆由内到外依次为线芯、屏蔽层、绝缘层，其特征在于步骤如下：
(1)将线缆一端的屏蔽层和绝缘层剥开，露出线芯，将线芯与对应的接插件插针作相连加工，去除剥开的屏蔽层和绝缘层；
(2)对步骤(1)中得到的线缆靠近接插件的部分，将绝缘层再次剥开，露出屏蔽层；
(3)使用屏蔽材料作二次加强屏蔽层处理。
2.根据权利要求1所述的一种LVDS线缆的屏蔽方法，其特征在于：所述作二次加强屏蔽层处理是指：使用屏蔽材料将从露出的屏蔽层到接插件内腔体底部之间的部分再次包裹，形成二次加强屏蔽层。
3.根据权利要求2所述的一种LVDS线缆的屏蔽方法，其特征在于：所述二次加强屏蔽层与所述露出的屏蔽层之间为360°搭接。
4.根据权利要求3所述的一种LVDS线缆的屏蔽方法，其特征在于：二次加强屏蔽层与所述露出的屏蔽层之间进行搭接的搭接电阻小于10mΩ。
5.根据权利要求1所述的一种LVDS线缆的屏蔽方法，其特征在于：所述露出线芯的长度为25-40mm。
6.根据权利要求1所述的一种LVDS线缆的屏蔽方法，其特征在于：步骤(2)中所述将绝缘层再次剥开的长度为8～10mm。
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