[发明专利]熔丝电路

权利要求书

1.一种熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路包括：

一暂态阻断电路，依据一操作电压进行操作；

一熔丝，所述熔丝的一第一端电连接所述暂态阻断电路；以及

一硅控整流器，电连接所述熔丝的一第二端；

其中当所述操作电压具有一噪声脉冲时，所述暂态阻断电路用以使所述熔丝与所述噪声脉冲暂时隔离，使得所述熔丝的所述第二端的电压维持小于用以触发所述硅控整流器的一触发电压。

2.根据权利要求1所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态阻断电路还包括：

一暂态感测单元，用以依据所述操作电压产生一感应电压，并于所述操作电压具有所述噪声脉冲时延迟对应于所述噪声脉冲的所述感应电压的变化；以及

一晶体管开关，其中所述晶体管开关的一控制端电连接所述暂态感测单元，所述晶体管开关的一第一端电连接所述操作电压，所述晶体管开关的一第二端电连接所述熔丝的所述第一端。

3.根据权利要求2所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态感测单元还包括：

一电阻器，所述电阻器的一第一端电连接所述操作电压；以及

一电容器，所述电容器的一第一端电连接所述电阻器的一第二端于所述感应电压所在的一电压输出节点，所述电容器的一第二端电连接一相对低位准电压。

4.根据权利要求3所述的熔丝电路，其特征在于，所述晶体管开关包含一N型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一漏极和一源极，所述栅极电连接所述电压输出节点，所述漏极电连接所述操作电压，所述源极电连接所述熔丝的所述第一端。

5.根据权利要求2所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态感测单元还包括：

一电容器，所述电容器的一第一端电连接所述操作电压；以及

一电阻器，所述电阻器的一第一端电连接所述电容器的一第二端于所述感应电压所在的一电压输出节点，所述电阻器的一第二端电连接一相对低位准电压。

6.根据权利要求5所述的熔丝电路，其特征在于，所述晶体管开关包含一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管具有一栅极、一漏极和一源极，所述栅极电连接所述电压输出节点，所述源极电连接所述操作电压，所述漏极电连接所述熔丝的所述第一端。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路还包括：

一电源开启重置开关，由一电源开启重置信号控制以拉降所述熔丝的所述第二端的电压；以及

一闩锁电路，用以闭锁所述熔丝的所述第二端的电压位准，并输出与所述熔丝的所述第二端的电压位准反相的一输出位准信号。

8.一种熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路包括：

复数个熔丝；

复数个硅控整流器，分别电连接所述复数个熔丝的第一端；

一晶体管开关，串接于所述复数个熔丝的第二端和一操作电压之间；以及

一暂态感测单元，用以依据所述操作电压产生一感应电压控制所述晶体管开关，并于所述操作电压具有一噪声脉冲时延迟对应于所述噪声脉冲的所述感应电压的变化，使得所述复数个熔丝的第一端的电压维持小于用以触发所述复数个硅控整流器的触发电压。

9.根据权利要求8所述的熔丝电路，其特征在于，所述暂态感测单元还包括：

一电阻器；以及

一电容器，与所述电阻器串联相接于所述操作电压和一相对低位准电压之间。

10.根据权利要求9所述的熔丝电路，其特征在于，所述晶体管开关包含一N型金属氧化物半导体场效应晶体管或一P型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述N型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极或所述P型金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极是电连接于所述电容器和所述电阻器。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的熔丝电路，其特征在于，所述的熔丝电路还包括：

一电源开启重置开关，由一电源开启重置信号控制以拉降所述熔丝的所述第一端的电压；以及

一闩锁电路，用以闭锁所述熔丝的所述第一端的电压位准，并输出与所述熔丝的所述第一端的电压位准反相的一输出位准信号。