[发明专利]一种触摸屏双面ITO刻蚀方法

说明书

技术领域

本发明涉及触摸屏的制作工艺，更具体地，涉及一种触摸屏双面ITO刻蚀方法。

背景技术

电容式触摸屏具有多点触控、感应精确、透光性好等优点，而且随着生产工艺的进步，制造成本也日益下降，因此已经在智能手机、PAD等具有触摸输入功能的电子产品中逐渐成为一种主流配置。

电容式触摸屏一般在透明玻璃基板的正反两面形成ITO层，分别作为X，Y轴方向的导电线路，从而制成双面ITO，并将正、反面的ITO通过柔性电路板连接。正面ITO层接触强化玻璃等外部保护层，反面的ITO层通过光学胶OCA结合到PET。

随着CTP的工艺不断成熟，双面ITO的蚀刻工艺已经得到广泛应用，该工艺包括：在透明玻璃基板G的双面分别镀ITO层，然后对正、反ITO层同时进行蚀刻形成导电图案，从而得到正面的ITO 1和反面的ITO 2。在蚀刻的过程中，如图1所示，反面的ITO 2在上层，正面的ITO 1在下层。这种传统工艺的一个缺陷在于留下的蚀刻印严重，对所制成的ITO的品质造成很大的不良影响。

发明内容

针对现有技术的以上缺陷，本发明提供了一种改进的触摸屏双面ITO刻蚀方法，能够有效地消弱蚀刻印现象，提高触摸屏的工艺品质。

本发明所述的触摸屏双面ITO刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

在透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层；

对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理；

对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层。

优选地，所述蚀刻前的保护处理包括对正面ITO层进行耐酸处理和烤箱烘干，然后对反面ITO层进行耐酸处理和烤箱烘干。

优选地，经过蚀刻获得的正面ITO层的方阻率为180-300欧姆，反面ITO层的方阻率为60-120欧姆。

本发明利用光折射原理，同时对双面ITO蚀刻工艺进行了修改，取得了消弱蚀刻印现象的技术效果，提高了触摸屏产品的品质。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：

图1是现有双面ITO蚀刻工艺中位置关系示意图；

图2是本发明所述的双面ITO蚀刻工艺中位置关系示意图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明的技术方案，并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合实施例及实施例附图对本发明作进一步详细的说明。

本发明的双面ITO蚀刻方法包括以下步骤：

参见图2，首先，对透明玻璃基板G的正、反双面分别镀ITO层，然后采用清洗工艺用纯水清洗上面的脏污。之后对正、反双面的ITO层进行蚀刻前的保护处理，保护处理的具体步骤包括：对正面ITO层进行正面耐酸处理，以保护正面ITO层所需要形成的导电图案；然后用烤箱烘干耐酸；接着对反面ITO层进行背面耐酸处理以保护反面ITO层所需要形成的导电图案，然后用烤箱烘干耐酸。对保护处理后的正、反双面的ITO层进行蚀刻，并且如图2所示，蚀刻中反面ITO层在下层，正面ITO层在上层，形成正面的ITO 1和反面的ITO 2。经过蚀刻获得的正面ITO层的方阻率为180-300欧姆，反面ITO层的方阻率为60-120欧姆。再将正、反面的ITO通过柔性电路板连接。正面ITO层接触强化玻璃等外部保护层，反面的ITO层通过光学胶OCA结合到PET，从而制作触摸屏。

本发明利用光折射原理，同时对双面ITO蚀刻工艺进行了修改，取得了消弱蚀刻印现象的技术效果，提高了触摸屏产品的品质。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，本发明还可以应用在其它控制设备中。本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求所界定的保护范围为准。