[发明专利]一种用于太阳能电池的发射极制作工艺

权利要求书

1. 一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤A：采用扩散工艺在基体硅片（1）表面制作PN结形成表层杂质分布层（2）；

步骤B：对步骤A中的表层杂质分布层（2）进行氧化处理，在表层杂质分布层（2）表面快速生长一层均匀分布的氧化层（3）；

步骤C：将步骤B中的氧化层（3）去除。

2. 根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：所述扩散工艺为：选取POCL₃液态源进行扩散。

3. 根据权利要求2所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：所述POCL₃液态源扩散的方式是：利用高纯氮气通入到液态POCL₃底部鼓泡，使得鼓泡携带POCL₃通入到高温炉管内部与氧气和硅片进行反应生成P原子扩散进入硅片表面形成N型层。

4. 根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：所述氧化处理的方法为高温湿氧氧化。

5. 根据权利要求4所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：高温湿氧氧化的过程为：将步骤A处理后的基体硅片（1）放在密闭的高温炉中，然后通入高温水蒸气，通过水蒸气与硅片表面扩散层之间的反应来快速生长氧化层。

6. 根据权利要求1所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：步骤C中的氧化层（3）去除方法为：将步骤B之后的基体硅片（1）放在氢氟酸溶液中，待氢氟酸溶液与氧化层（3）反应后取出。

7. 根据权利要求1-6中任意一项所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：步骤A后的基体硅片（1）方阻比步骤B后的基体硅片（1）方阻低5ohm-30ohm。

8. 根据权利要求1-6中任意一项所述的一种用于太阳能电池的发射极制作工艺，其特征在于：步骤B后的基体硅片（1）方阻在60ohm-120ohm范围内。