[发明专利]溅射靶、透明导电膜、薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法及液晶显示装置无效

申请号：	201210340105.2	申请日：	2005-03-02
公开（公告）号：	CN103121799A	公开（公告）日：	2013-05-29
发明（设计）人：	井上一吉;笘井重和;松原雅人	申请（专利权）人：	出光兴产株式会社
主分类号：	C03C17/245	分类号：	C03C17/245;H01B5/14;H01L23/532;H01L29/45;H01L29/49;H01L29/66;H01L29/786;H01L27/12
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	蒋亭
地址：	日本国***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	溅射透明导电薄膜晶体管及其制造方法液晶显示装置
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【权利要求书】：

1.一种溅射靶，其以氧化铟为主成分，包括：

选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或该金属的氧化物、

选自由镧系金属构成的第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物。

2.根据权利要求1所述的溅射靶，其特征是，

作为选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的所述第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或金属氧化物的相对于氧化铟的组成的[M1]/([M1]+[In])的值为0.005～0.2，

作为选自由镧系金属构成的所述第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物的相对于氧化铟的组成的[M2]/([M2]+[In])的值为0.005～0.2，这里，所述[M1]表示选自所述第一金属组中的一种或两种以上的金属的原子的数目，所述[M2]表示选自所述第二金属组中的一种或两种以上的金属的原子的数目，所述[In]表示铟原子的数目。

3.根据权利要求1或2所述的溅射靶，其特征是，

选自由镧系金属构成的所述第二金属组M2中的金属的氧化物是选自La、Ce、Ho、Er中的任意一种以上的金属的氧化物。

4.一种溅射靶，其特征是，

以氧化铟为主成分，含有：

选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或该金属的氧化物、

选自由镧系金属构成的第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物、

选自由Zn、Sn、Zr、Ga、Ge构成的第三金属组M3中的一种或两种以上的金属的氧化物。

5.根据权利要求4所述的溅射靶，其特征是，

作为选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的所述第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或金属氧化物的相对于氧化铟的组成的[M1]/([M1]+[In])的值为0.005～0.2，

作为选自由镧系金属构成的所述第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物的相对于氧化铟的组成的[M2]/([M2]+[In])的值为0.005～0.2，

作为选自由Zn、Sn、Zr、Ga、Ge构成的所述第三金属组中的一种或两种以上的金属的氧化物的相对于氧化铟的组成的[M3]/([M3]+[In])的值为0.005～0.2，这里，所述[M1]表示选自所述第一金属组中的一种或两种以上的金属的原子的数目，所述[M2]表示选自所述第二金属组中的一种或两种以上的金属的原子的数目，所述[M3]表示选自所述第三金属组中的一种或两种以上的金属的原子的数目，所述[In]表示铟金属的原子的数目。

6.根据权利要求4或5所述的溅射靶，其特征是，

选自由镧系金属构成的所述第二金属组M2中的氧化物是La、Ce、Ho、Er的任意一种以上的金属的氧化物。

7.一种透明导电膜，其以氧化铟为主成分，由：

选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或该金属的氧化物、

选自由镧系金属构成的第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物构成。

8.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征是，

作为选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的所述第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或金属氧化物的相对于氧化铟的组成的[M1]/([M1]+[In])的值为0.005～0.2，

9.根据权利要求7或8所述的透明导电膜，其特征是，

选自由镧系金属构成的所述第二金属组M2中的金属的氧化物为La、Ce、Ho、Er的任意一种以上的金属的氧化物。

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