[发明专利]将双极性结型晶体管用于缓冲电路的方法和缓冲电路有效

专利信息
申请号: 201210340087.8 申请日: 2012-09-13
公开(公告)号: CN103001478A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 林国藩 申请(专利权)人: 全汉企业股份有限公司
主分类号: H02M1/34 分类号: H02M1/34
代理公司: 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 代理人: 刘云贵
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 极性 晶体管 用于 缓冲 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种缓冲电路,该缓冲电路的特征在于包括有:

至少一阻抗组件;

一电容器,该电容器具有一第一端子与一第二端子,其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子;以及

一双极性结型晶体管,其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子,且该双极性结型晶体管

的发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子;

其中该至少一阻抗组件和该电容器并联、或和该双极性结型晶体管的发射极与集电极并联。

2.如权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,该至少一阻抗组件是为至少一齐纳二极管。

3.如权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,该双极性结型晶体管的基极与发射极是被导通。

4.如权利要求1所述的缓冲电路,其特征在于,基于该双极性结型晶体管的基极与集电极之间的至少一接面特性,该缓冲电路利用该双极性结型晶体管作为一快速二极管。

5.如权利要求4所述的缓冲电路,其特征在于,该至少一接面特性包括导通快的特性以及恢复时间慢的特性,而该缓冲电路利用该导通快的特性将漏感能量快速地转移至该电容器中,且利用该恢复时间慢的特性使该电容器中的能量反推回源头。

6.如权利要求5所述的缓冲电路,其特征在于,该至少一接面特性另包括变换缓和的特性以及基极-集电极接面电容小的特性,而该缓冲电路利用该变换缓和的特性、该基极-集电极接面电容小的特性缩小共振幅度。

7.如权利要求6所述的缓冲电路,其特征在于,该阻抗组件是用来确保最高突波电压值的限制并且用来消耗剩余的能量。

8.如权利要求6所述的缓冲电路,其特征在于,该至少一阻抗组件是为至少一齐纳二极管;以及该至少一齐纳二极管是用来确保最高突波电压值的限制并且用来消耗剩余的能量。

9.一种将一双极性结型晶体管用于一缓冲电路的方法,该方法的特征在于包括有下列步骤:

将该双极性结型晶体管的基极与发射极导通;以及

基于该双极性结型晶体管的基极与集电极之间的至少一接面特性,利用该双极性结型晶体管作为一快速二极管,以供设置于该缓冲电路。

10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,该至少一接面特性包括导通快的特性、恢复时间慢的特性、变换缓和的特性以及基极-集电极接面电容小的特性;以及利用该双极性结型晶体管作为该快速二极管的步骤另包括:

利用该导通快的特性将漏感能量快速地转移至该缓冲电路当中的一电容器中,再利用该恢复时间慢的特性使该电容器中的能量反推回源头;以及

利用该变换缓和的特性以及该基极-集电极接面电容小的特性缩小共振幅度。

11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,另包括:

利用至少一阻抗组件来确保最高突波电压值的限制并且用来消耗剩余的能量。

12.如权利要求10所述的方法,其特征在于,另包括:

利用至少一齐纳二极管来确保最高突波电压值的限制并且用来消耗剩余的能量。

13.一种缓冲电路,该缓冲电路的特征在于包括有:

一电容器,该电容器具有一第一端子与一第二端子,其中该电容器的该第一端子是电气连接至该缓冲电路的一第一端子;以及

一双极性结型晶体管,其中该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的一者是电气连接至该电容器的该第二端子,且该双极性结型晶体管的发射极与集电极中的另一者是电气连接至该缓冲电路的一第二端子。

14.如权利要求13所述的缓冲电路,其特征在于,该双极性结型晶体管的基极与发射极是被导通。

15.如权利要求1或13所述的缓冲电路,其特征在于,该缓冲电路是并联于一主动组件或一负载,该主动组件是为一金属氧化物半导体场效应晶体管、一二极管、一双极性结型晶体管、一绝缘栅双极晶体管、一静电感应晶体管、一闸流体或其组成的电路,而该负载是为一电感、一电阻、一电容或其组成的电路。

16.如权利要求15所述的缓冲电路,其特征在于,当该缓冲电路使用于一变压器的一次侧时,该缓冲电路是并联于变压器的一次侧且串联于至少一开关管。

17.如权利要求15所述的缓冲电路,其特征在于,当该缓冲电路使用于一变压器的二次侧时,该缓冲电路是并联于一输出整流电路的一开关管。

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