[发明专利]一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法有效
| 申请号： | 201210331401.6 | 申请日： | 2012-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN102856076A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李纲;张文彦;李广忠 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 co 掺杂 nio 纳米 阵列 薄膜 电极 制备 方法 | ||
1.一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将厚度为100μm～300μm的NiCo合金基片机械加工成面积为3cm2～6cm2的片状，然后依次用150#、600#、1000#砂纸打磨光亮，再将打磨后的NiCo合金基片依次经有机溶剂超声除油和去离子水清洗后自然风干；所述NiCo合金基片中Co的质量含量为0.5%～5%；
步骤二、将步骤一中自然风干后的NiCo合金基片平放在聚四氟乙烯平台上，然后一同置于容积为300mL～500mL的带四氟乙烯内衬的水热反应釜中，向水热反应釜和聚四氟乙烯平台之间的空隙中添加10mL～30mL去离子水，最后将水热反应釜密封后置于烘箱内，在温度为160℃～180℃的条件下利用蒸汽对NiCo合金基片进行3h～20h的热处理，得到含Co的NiO纳米片阵列薄膜；
步骤三、将步骤二中所述含Co的NiO纳米片阵列薄膜置于马弗炉中焙烧，得到Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤一中所述NiCo合金基片为采用熔炼法制备的致密NiCo合金基片或采用粉末冶金法制备的多孔NiCo合金基片。
3.根据权利要求1所述的一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤一中所述有机溶剂为无水甲醇、无水乙醇或丙酮。
4.根据权利要求1所述的一种Co掺杂NiO纳米片阵列薄膜电极的制备方法，其特征在于，步骤三中所述焙烧的温度为350℃～500℃，焙烧的时间为1h～4h。
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