[发明专利]供气装置及应用该装置的化学气相沉积装置无效
申请号: | 201210327999.1 | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN102877040A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 谢炎璋 | 申请(专利权)人: | 绿种子科技(潍坊)有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;常大军 |
地址: | 261061 山东省*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 供气 装置 应用 化学 沉积 | ||
1.一种供气装置,其特征在于,包括:
多个反应物管路,分别承载多个反应物;以及
多个温控管路,该些温控管路与该些反应物管路接触,以控制该些反应物的温度。
2.根据权利要求1所述的供气装置,其特征在于,每一该些温控管路前段与后段具有不同管径。
3.根据权利要求1所述的供气装置,其特征在于,每一该些温控管路上还包括至少一温度传感器。
4.根据权利要求1所述的供气装置,其特征在于,每一该些反应物管路上还包括至少一温度传感器。
5.根据权利要求1所述的供气装置,其特征在于,每一该些温控管路分别位于多个区域,根据不同区域状况,每一该些温控管路对应调整内部一流体的一流量速度或一流体温度。
6.根据权利要求1所述的供气装置,其特征在于,该些温控管路对应具有多个输入口,该些输入口连接到一共通输入口,该共通输入口以一流量控制器控制一流体的输入。
7.根据权利要求1所述的供气装置,其特征在于,该些温控管路靠近对应该些输入口的管线分布比该些温控管路远离对应该些输入口的管线分布分散。
8.一种化学气相沉积装置,其特征在于,包括:
一载盘,承载至少一基板;以及
一供气装置,该载盘与该供气装置之间形成一反应空间,该供气装置提供多个反应物到该反应空间进行一反应后,产生至少一生成物到该至少一基板上,该供气装置包括:
多个反应物管路,分别承载该些反应物;及
多个温控管路,该些温控管路与该些反应物管路接触,以控制该些反应物的温度。
9.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,每一该些温控管路前段与后段具有不同管径。
10.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,还包括:
一加热器,提供该反应空间所进行该反应的温度,该载盘位于该加热器与该供气装置之间。
11.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,还包括:
一盖体,位于该供气装置上方,该些反应物由该盖体外部通过该盖体送到该些反应物管路。
12.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,每一该些温控管路上还包括至少一温度传感器。
13.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,每一该些反应物管路上还包括至少一温度传感器。
14.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,每一该些温控管路分别位于多个区域,根据不同区域状况,每一该些温控管路对应调整内部一流体的一流量速度或一流体温度。
15.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,该些温控管路对应具有多个输入口,该些输入口连接到一共通输入口,该共通输入口以一流量控制器控制一流体的输入。
16.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置,其特征在于,该些温控管路靠近对应该些输入口的管线分布比该些温控管路远离对应该些输入口的管线分布分散。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的