[发明专利]机械剥离的膜的固定曲率力加载方法

说明书

技术领域

本公开涉及电子器件制造方法，并具体涉及剥离方法。

背景技术

一种用于将薄晶体层从源基板转移到另一基板（塑料、玻璃、金属等）的方法为受控基板剥离（controlled substrate spalling）。在这种方法中，通过在要分裂的表面（即，基底基板）上沉积应力材料（例如，金属）而去除基板的表面，其中应力材料的厚度和应力值低于自发基底基板剥离所需的厚度和应力值，但是其足够高而允许断裂开始之后的剥离。受控剥离提供一种用于从比较昂贵的厚基底基板移除多个薄半导体层的低成本且简单的方法。

发明内容

本公开提供在剥离期间控制基底基板的断裂的方法。在一个实施例中，剥离方法包括：在基底基板的表面上沉积应力施加层并且使应力施加层与平坦转移表面在基底基板的第一边缘处接触。在平坦转移表面接触应力施加层之后，平坦转移表面在从基底基板的第一边缘到基底基板的相对的第二边缘的方向上沿一平面横移，该平面平行于基底基板的上表面并从基底基板的上表面垂直偏移。平坦转移表面沿着其横移的平面与基底基板的上表面之间的垂直偏移为沿着基底基板的宽度（从基底基板的第一边缘到基底基板的第二边缘）的固定距离。从基底基板的第一边缘到基底基板的第二边缘横移平坦转移表面使基底基板裂开并将基底基板的被剥离部分转移到平坦转移表面。固定距离，其提供平坦转移表面沿着其横移的平面与基底基板的上表面之间的垂直偏移，对于提供均匀的剥离力有贡献。在一些实施例中，剥离方法还包括辊，所述辊用于确保基底基板的被剥离部分与平坦转移表面的实质上无空隙接合。

在另一实施例中，提供一种例如通过剥离转移材料层的方法，该方法包括：在基底基板的表面上沉积应力施加层。然后使应力施加层与转移辊在基底基板的第一边缘处接触，其中转移辊的半径选择为提供一种辊，该辊的曲率等于从基底基板转移到转移辊的材料层的平衡曲率。在转移辊接触应力施加层之后，使转移辊从基底基板的第一边缘横移到基底基板的相对的第二边缘。转移辊从基底基板的第一边缘横移到基底基板的第二边缘使基底基板分裂并将基底基板的被剥离部分转移到转移辊。

附图说明

通过结合附图将最佳地理解以下详细说明，所述详细说明通过举例的方式给出并且不旨在限制本公开，其中相同的附图标记表示相同的元件和部件，在附图中：

图1是示出根据本公开的一个实施例在基底基板的表面上沉积应力施加层（stressorlayer）的侧视截面图；

图2是描述根据本公开在基底基板的第一边缘处使应力施加层与平坦转移表面接触的一个实施例的侧视截面图；

图3和图4是侧视截面图，其描述了根据本公开在从基底基板的第一边缘到基底基板的相对第二边缘的方向上，沿着平行于基底基板的上表面并且具有相对于基底基板的上表面的垂直偏移的平面横移平坦转移表面，以使基底基板分裂并且将基底基板的被剥离部分转移到平坦转移表面的一个实施例；

图5是描述根据本公开的一个实施例的转移到平坦转移表面的基底基板的被剥离部分的侧视截面图；

图6是描述根据本公开的一个实施例的辊（roller）的侧视截面图，该辊用以将应力施加层压到平坦转移表面；

图7是描述根据本公开的一个实施例的用于转移材料层的转移辊的侧视截面图。

具体实施方式

本文描述了本公开的具体实施例；然而，应该理解的是，所公开的实施例仅为本文描述的结构和方法的示例，本文描述的结构和方法可以实施为各种形式。此外，结合本公开的不同实施例给出的每个示例旨在说明性，而非限制性。另外，附图不一定按比例绘制，为了表示特定部件的细节，可能夸大了一些特征。因此，本文公开的具体结构和功能细节不应解释为限制，而仅作为教导本领域的技术人员不同地采用所公开的方法和结构的代表性基准。

说明书中提及“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等表明所述实施例可以包括特定特征、结构或特性，但是每个实施例都不是必须包括所述特定特征、结构或特性。此外，这样的用语不一定指某个实施例。另外，当结合实施例描述了特定特征、结构或特性时，应该认为，结合其它实施例实现这样的特征、结构或特性落入本领域技术人员的认知之内，无论是否明确说明。