[发明专利]气体回收系统及气体还原装置有效

专利信息
申请号: 201210273159.1 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN103572195A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 萧盈诗;坂本仁志 申请(专利权)人: 核心能源实业有限公司;坂本仁志
主分类号: C23C8/08 分类号: C23C8/08;H01L31/18
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 梁爱荣
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 气体 回收 系统 还原 装置
【说明书】:

技术领域

发明有关于一种气体回收系统,特别是有关于一种能将硒化氢因热分解所形成的废气的气体回收系统。

背景技术

铜铟镓硒化物系列的薄膜光电元件是拥有高效率的太阳能电池,铜铟镓硒化物(Copper Indium Gallium Selenide CIGS),其太阳能的基板制作,除了蒸镀制程外,其制程大部分都需经过硒化(Selenization)处理,现今硒化(Selenization)处理商业上量产采用硒化氢(H2Se)为反应气体。

以现今例子来说明:当一个铜铟镓硒化合物层(CIGS)太阳能电池要进行硒化制程时,经由溅镀法(Sputtering)沉积技术在玻璃基板上所形成的含铜、镓及铟的合金或单体的多层前驱物(Precursors)薄膜堆栈的电池结构送至硒化炉(一种热处理炉)中,并将硒化氢(H2Se)气体通入至硒化炉中,当硒化炉内的温度被加热到达400℃以上时,硒化氢(H2Se)气体即开始与多层前驱物薄膜发生反应;然而,在CIGS太阳能电池的硒化制程中,还需要将多层薄膜堆栈的电池结构加热后,才能够与硒化氢气体起良好反应,进而得到好的CIGS薄膜层。因硒化炉内的硒化反应,需维持充足的硒化氢气体分子数目,故通入硒化氢气体反应并不能完全与多层前驱物薄膜发生反应,多余未反应气体经由除害系统处理后,并无继续再利用。

一般硒化制程中所使用硒来源可分为固态硒,气态二氢化硒(H2Se)方式来获得,但以使用气态二氢化硒为主流。使用气态二氢化硒(H2Se)具侵腐蚀性与毒性,经由反应槽高温裂解产生硒气态原子进行硒化,但为了提供足够并且均匀的硒气体原子数目,常造成额外的耗费及后续废弃处理的成本升高。

发明内容

为了解决上述问题,本发明的一主要目的在于提供一气体回收系统,通过其高效率气体回收方式,经由气体回收系统使热裂解后的硒化氢气体能更有效处理回收再利用。

依据上述目的,本发明提供一种气体回收系统,其中包括:至少一气体供给系统,其中包含:一供给源,提供至少一气体;一气体供给单元,与气体供给源连接;至少一气体处理系统,与气体供给系统连接,其中包括:一气体反应器,与气体供给单元连接;及一气体还原装置,与气体反应器连接;一气体分离系统,与气体处理系统连接,其中包括:一第一排气单元,与气体还原装置连接;一纯化单元,与第一排气单元连接;一第二排气单元,与纯化单元连接;及一加热蒸发单元,与纯化单元及气体供给单元连接。

本发明再一主要目的在于提供一气体还原装置,能还原已经使用过的废弃气体,不仅能降低成本,更使气体能更有效运用。

依据上述目的,本发明提供一种气体还原装置,包括一气体还原单元及一气体导入管,气体导入管内流通一第一气体,且气体还原单元连接气体导入管,其中气体还原单元的特征在于:气体还原单元包括:一导管,连接气体导入管;一还原气体源,与导管连接,并提供一第二气体流通至气体导入管内;及一微波发射装置,发射一微波,并将微波射入至导管内的第二气体。

通过本发明所提供的气体还原装置与气体回收系统,使其具有高回收效率的优点,并节省废气处理及使用新气体的成本。

附图说明

图1为本发明的气体回收系统简化处理程序的功能方块图;

图2为本发明的回收系统处理程序的功能方块图;

图3为本发明的气体还原装置的示意图;

图4为本发明的气体还原装置另一实施例示意图;

图5为本发明的气体还原装置再另一实施例示意图气体回收系统;

图6为本发明气体回收系统另一实施例示意图。

主要元件符号说明

1             气体回收系统

2             气体供给系统

21            供给源

23            气体供应系统

25、25’      质量流量控制器

3、3’        气体处理系统

31            气体反应器

33            第一储存槽

35、35’、35n 气体还原装置

351           气体还原单元

3511          导管

3513          腔体

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