[发明专利]电容式传感器及其制造方法和操作方法

权利要求书

1.一种传感器，包括：

第一掺杂区；

第二掺杂区，具有与所述第一掺杂区相反的导电性并包括第一振动部分；以及

空置空间，设置在所述第一掺杂区与所述第一振动部分之间，

其中所述第一掺杂区和所述第二掺杂区是整体的。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中所述第一振动部分包括多个通孔，并且用于密封所述多个通孔的材料膜形成在所述第一振动部分上。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中振动器设置在所述空置空间中以被连接到所述第一振动部分并且与所述第一掺杂区平行。

4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述第二掺杂区的第二振动部分设置在位于所述振动器与所述第一振动部分之间的所述空置空间中以被连接到所述第一振动部分和所述振动器。

5.根据权利要求4所述的传感器，其中所述第二振动部分包括多个通孔。

6.根据权利要求5所述的传感器，其中用于密封所述多个通孔的材料膜形成在所述第一振动部分上。

7.根据权利要求1所述的传感器，其中所述第一掺杂区被掺杂有n型材料或p型材料。

8.根据权利要求2所述的传感器，其中所述材料膜是硅氧化物膜、硅氮化物膜和聚合物膜中的任意一种。

9.一种制造传感器的方法，所述方法包括：

形成单晶硅层，所述单晶硅层是单层硅层并且包括彼此相反地掺杂的第一掺杂区和第二掺杂区；以及

在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的有限区域中形成空置空间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述单晶硅层包括：

形成掺杂有第一掺杂剂的第一单晶硅层；以及

通过将所述第一单晶硅层的一部分掺杂第二掺杂剂而形成所述第二掺杂区。

11.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述空置空间还包括：

在所述第二掺杂区下方的所述第一掺杂区中形成氧化区；以及

移除所述氧化区的氧化材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中移除所述氧化区的氧化材料还包括：

在所述氧化区上的所述第二掺杂区中形成通孔，通过所述通孔暴露所述氧化区；以及

通过所述通孔移除所述氧化材料。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：在所述第二掺杂区上形成用于密封所述通孔的材料膜。

14.根据权利要求9所述的方法，其中形成所述单晶硅层包括：

形成掺杂有第一掺杂剂的第一单晶硅层；

在所述第一单晶硅层的顶表面下方形成氧化区；以及

在所述第一单晶硅层上生长掺杂有第二掺杂剂的第二单晶硅层。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括：朝所述第二单晶硅层延伸所述氧化区的一部分。

16.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述空置空间包括：从所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层的氧化区移除氧化材料。

17.根据权利要求15所述的方法，其中朝所述第二单晶硅层延伸所述氧化区的所述部分包括：

形成第一氧化区，所述第一氧化区连接到所述氧化区并且在垂直于所述氧化区的方向上延伸到所述第二单晶硅层中；以及

形成第二氧化区，所述第二氧化区连接到所述第一氧化区并且在平行于所述第二单晶硅层中的所述氧化区的方向上延伸。

18.根据权利要求16所述的方法，其中从所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层的所述氧化区移除所述氧化材料还包括：

在所述第二单晶硅层上形成通孔，通过所述通孔暴露朝所述第二单晶硅层延伸的所述氧化区；以及

通过所述通孔移除所述第一单晶硅层和所述第二单晶硅层的所述氧化区的氧化材料。

19.根据权利要求18所述的方法，在移除所述氧化材料之后，所述方法还包括：在所述第二单晶硅层上形成用于密封所述通孔的材料膜。