[发明专利]铜锌锡硒太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种铜锌锡硒太阳能电池，包括：

衬底；

设置在所述衬底上的背电极层；

通过非真空电化学沉积而设置在所述背电极层上的铜锌锡硒吸收层；

设置在所述铜锌锡硒吸收层上的缓冲层；

依次设置在所述缓冲层上的本征氧化锌层和掺铝氧化锌层；以及

设置在所述掺铝氧化锌层上的收集电极。

2.根据权利要求1所述的铜锌锡硒太阳能电池，其中，所述铜锌锡硒吸收层是p型铜锌锡硒吸收层，并且所述缓冲层是n型硫化镉缓冲层。

3.根据权利要求2所述的铜锌锡硒太阳能电池，其中，所述p型铜锌锡硒吸收层的厚度为1000-3000nm，并且所述n型硫化镉缓冲层的厚度为50-100nm。

4.根据权利要求1所述的铜锌锡硒太阳能电池，其中，所述衬底是玻璃衬底。

5.根据权利要求1所述的铜锌锡硒太阳能电池，其中，所述收集电极是铝收集电极。

6.根据权利要求1所述的铜锌锡硒太阳能电池，其中，所述背电极层是金属钼背电极层并且厚度为500-1000nm。

7.一种制造铜锌锡硒太阳能电池的方法，包括以下步骤：

在衬底上设置背电极层；

通过非真空电化学沉积在所述背电极层上设置铜锌锡硒吸收层；

在所述铜锌锡硒吸收层上设置缓冲层；

在所述缓冲层上依次设置本征氧化锌层和掺铝氧化锌层；以及

在所述掺铝氧化锌层上设置收集电极。

8.根据权利要求7所述的制造铜锌锡硒太阳能电池的方法，其中，所述铜锌锡硒吸收层是通过在所述背电极层上非真空电化学沉积铜锌锡合金层后，对所述铜锌锡合金层进行硒化处理而设置在所述背电极层上的。

9.根据权利要求8所述的制造铜锌锡硒太阳能电池的方法，其中，在非真空沉积所述铜锌锡合金层中使用的电解液包含3～15mM硫酸铜、3～15mM硫酸锌、3～15mM硫酸锡以及0.1-0.3M的络合剂，并且相对于饱和甘汞电极的沉积电位为-0.9V至-1.2V。

10.根据权利要求8所述的制造铜锌锡硒太阳能电池的方法，其中，所述硒化处理的硒源温度为250-450℃，所述铜锌锡合金层的温度为450-550℃，并且所述硒化处理的时间为10-30分钟。