[发明专利]显示面板及其制造方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种显示面板制造技术领域，特别是涉及一种显示面板及其制造方法。

【背景技术】

近年来，随着科技的进步，许多不同的显示装置，例如液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、电激发光(Electro Luminenscence，EL)显示器或有机发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)已应用于平面显示器。

通常，显示装置的显示面板包括多个像素、多条信号线、多个主动组件及多个储存电容。信号线可为垂直配置的数据线和水平配置的栅极线，其相互交错地配置，而形成矩阵式排列的像素，主动组件一般为薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，主动组件及储存电容是分别设置于每一像素中。

然而，在上述显示面板的每一像素中，由于主动组件及储存电容并无法显示影像，因而降低了像素的开口率。再者，例如在OLED面板中，需使用较大面积的电容，因而降低了OLED面板的像素开口率，且易影响OLED面板的使用寿命。

故，有必要提供一种显示面板及其制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明提供一种显示面板及其制造方法，以解决低开口率的问题。

本发明的主要目的在于提供一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

多个像素，设置于所述基板上；

多个主动组件，分别设置于所述像素中；以及

多个储存电容，分别设置于所述像素中，其中每一所述储存电容具有第一储存电极及第二储存电极，所述第二储存电极是形成于所述绝缘层的凹部内，且对位于所述第一储存电极上。

在本发明的一实施例中，每一所述主动组件具有一第一绝缘层厚度，每一所述储存电容具有一第二绝缘层厚度，所述第二绝缘层厚度是小于所述第一绝缘层厚度。

在本发明的一实施例中，所述绝缘层具有第一绝缘层厚度及第二绝缘层厚度，其中所述第一绝缘层厚度是对应于有机发光显示单元的第一电极，所述第二绝缘层厚度是对应于所述第一储存电极，且所述第二绝缘层厚度是小于所述第一绝缘层厚度。

在本发明的一实施例中，显示面板还包括多个有机发光显示单元，分别设置于所述像素中。

在本发明的一实施例中，每一所述储存电容具有一绝缘距离，所述绝缘距离是小于300纳米。

在本发明的一实施例中，所述绝缘距离是介于100纳米与300纳米之间。

在本发明的一实施例中，所述显示面板可为液晶显示面板。

在本发明的一实施例中，所述凹部的深度是等于或小于200纳米。

本发明的另一目的在于提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

提供一基板；

形成多个栅极及多个第一储存电极于所述基板上；

形成绝缘层来覆盖所述栅极及所述第一储存电极；

移除在所述第一储存电极上的部分所述绝缘层，使得所述绝缘层具有一第一绝缘层厚度及一第二绝缘层厚度，所述第一绝缘层厚度是对应于所述栅极，所述第二绝缘层厚度是对应于所述第一储存电极，所述第二绝缘层厚度是小于所述第一绝缘层厚度；

形成多个源电极、多个漏电极及多个第二储存电极于所述绝缘层上，所述源电极及所述漏电极是对位于所述栅极上，所述第二储存电极是对位于所述第一储存电极上；以及

形成多个第一电极来分别连接于所述漏电极。

本发明的又一目的在于提供一种显示面板的制造方法，所述制造方法包括如下步骤：

提供一基板；

形成多个栅极于所述基板上；

形成绝缘层来覆盖所述栅极；

形成多个源电极、多个漏电极及多个第一储存电极于所述绝缘层上；

形成另一绝缘层来覆盖所述源电极、所述漏电极及所述第一储存电极；

移除在所述第一储存电极上的部分所述另一绝缘层，以形成凹部；以及

形成多个第一电极及多个第二储存电极于所述另一绝缘层上，其中所述第一电极是分别连接于所述漏电极，所述第二储存电极是形成于所述另一绝缘层的凹部内，且对位于所述第一储存电极上。

本发明的显示面板及其制造方法可缩减像素中储存电容的面积，以增加像素的开口率，且可对应增加像素中的发光面积，以改善组件的使用寿命。再者，本发明的显示面板可适用于高像素密度(High PPI)的显示装置或电子装置。