[发明专利]高性能陶瓷活塞环制造技术有效
| 申请号： | 201210183090.3 | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103194719A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 曾云发 | 申请（专利权）人： | 曾云发 |
| 主分类号： | C23C8/38 | 分类号： | C23C8/38;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610212 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 性能 陶瓷 活塞环 制造 技术 | ||
【权利要求书】：
1.一种高性能陶瓷活塞环制造技术，其特征在于：将普通低合金钢活塞环与钼(或铬、钛、钨)材置于低真空(8.0Pa)桶形阴极内相应位置，然后通入氩气(气压30～40Pa)。经过两次电流突变，形成双层辉光放电，产生800～1000℃高温，形成氩离子和钼离子。钼离子沿着高温下形成的晶体缺陷通道，深入活塞环基体内；经真空离子碳化，在活塞环表层形成碳化钼陶瓷层。
2.根据权利要求1所述的高性能陶瓷活塞环制造技术，其特征在于：钼材在高温离子区迅速溅射出金属原子，金属原子在高能离子区中又被电离成钼离子。
3.根据权利要求1所述的高性能陶瓷活塞环制造技术，其特征在于：钼离子在电场力作用下沿着活塞环表面的位错、空位等晶体缺陷在高温下形成的通道深入活塞环表层100-300μm。
4.根据权利要求1所述的高性能陶瓷活塞环制造技术，其特征在于：经真空离子碳化，活塞环表层形成碳化钼(或碳化铬、碳化钛、碳化钨)陶瓷层。
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