[发明专利]太阳电池、太阳电池模块以及制备太阳电池的方法有效
申请号: | 201210146233.3 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102651407A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | M·库泽尔;B·比特纳;H·哈恩;A·克劳斯;H·纽豪斯 | 申请(专利权)人: | 太阳世界创新有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 德国弗赖贝*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 模块 以及 制备 方法 | ||
技术领域
本申请涉及太阳电池、太阳电池模块以及生产太阳电池的方法的多种实施例。
背景技术
太阳电池通常包括具有前侧和后侧的衬底,其中导电的接触结构沉积在两侧的至少一侧上。接触结构通常具有至少100μm的宽度,而其厚度只有大约10μm到15μm。接触结构的更大的宽度会由于其增加的阴影(shading)而导致效率程度的降低,而接触结构宽度的降低也具有缺点,会导致接触结构的线电阻增加的结果。而且,各个接触结构的电流会在叫做汇流条的地方汇合,引起前侧表面的另外的阴影。
除了由于阴影引起的降低的性能,通常由含银的丝网印刷油墨生产的接触结构也构成了太阳电池的生产成本中主要的部分。
太阳电池的互连通常通过电池连接器实现,例如以接触导线或者接触带的形式,其被焊接在太阳电池的汇流条上。全部的电流通过接触导线或者接触带引导。为了将电阻的损失降到最低,这些接触导线或者接触带需要一定的总的横截面积。这会在前侧由于阴影导致损失。
为了实现优化的太阳电池模块,应当以联合的方式对太阳电池的接触结构以及接触导线或者接触带的数量和大小进行优化。
在这种情况下,对于互相平行延伸的多个(数量n>10)并且薄的(直径d<250μm)的接触导线或者接触带,存在最佳方式。
用于连接太阳电池的方法记载在DE 102 39 845 C1中。
用于增加太阳电池的性能的另外的方法是使用选择性的发射器。用于生产这种选择性的发射器的各种传统的方法都具有缺点,造成必须使用复杂的方式使所得到的金属敷层(meatallization)对准,以使金属敷层精确地金属化在低阻抗区域(例如FhG ISE Synova-LCP/磷酸激光束控制)。
发明内容
所提供的太阳电池具有各种不同的实施方式。该太阳电池可包括用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂的基础区域;用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂的发射极区域,第二掺杂类型与第一掺杂类型相反;在发射极区域的与发射极区域相比具有增加的第二掺杂类型掺杂浓度的多个区域;以及,多个金属焊垫(soldering pad),每个焊垫至少部分地布置在具有增加的掺杂剂浓度的区域。
附图说明
在附图中,不同视图中的相似的附图标记一般指代相同的部分。附图不一定是按比例的,相反,附图所表现的重点通常在于要说明本发明的原理。在下文中,参考以下附图描述本发明的多个实施例,其中:
图1示出了流程图,其中根据多个实施例说明了制备太阳电池的方法;
图2示出了流程图,其中根据多个实施例说明了制备太阳电池的方法;
图3示出了根据多个实施例说明的太阳电池的顶视图;
图4示出了根据多个实施例说明的太阳电池的顶视图;
图5示出了图3中的太阳电池沉积了电池连接器的顶视图;
图6示出了流程图,其中根据多个实施例说明了制备太阳电池的方法;
图7示出了根据多个实施例的发射区的顶视图;
图8示出了根据多个实施例的发射区的顶视图;
图9示出了根据多个实施例的发射区的顶视图;以及
图10示出了根据多个实施例的图3的太阳电池的截面图。
具体实施方式
下文中涉及附图的详细记载,以说明的方式,示出了本发明在其中实施的特定细节和实施例。
这里使用的词“示例性的”意思是“作为示例、例子或者例证”。这里作为“示例性地”记载的任何实施例或者设计都不是必须被解释为比其它的实施例或者设计更好的或者更有利的。
这里的关于将沉积材料形成在一侧或者一个表面“上”而使用的词“上”意思是沉积的材料可以是“直接地”,例如与暗示的侧或者表面直接接触地形成。这里的关于将沉积材料形成在一侧或者一个表面“上”而使用的词“上”意思是沉积的材料可以是“非直接地”形成在暗示的侧或者表面,一个或者多个层可布置在暗示的侧或者表面与沉积的材料之间。
在多个实施例中,术语“太阳电池”中的“太阳”应被理解为是这样的器件:利用所谓的光伏效应,将来自于例如阳光的主要是可见光的辐射(例如,至少所述从大约300nm到大约1150nm的可见波长范围的可见光的至少一部分;请注意,紫外(UV)辐射和/或红外(IR)辐射也可以额外地被转换),直接地转换为电能。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的