[发明专利]太阳电池、太阳电池模块以及制备太阳电池的方法有效
申请号: | 201210146233.3 | 申请日: | 2012-02-15 |
公开(公告)号: | CN102651407A | 公开(公告)日: | 2012-08-29 |
发明(设计)人: | M·库泽尔;B·比特纳;H·哈恩;A·克劳斯;H·纽豪斯 | 申请(专利权)人: | 太阳世界创新有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 吴俊 |
地址: | 德国弗赖贝*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳电池 模块 以及 制备 方法 | ||
1.一种太阳电池,包括:
用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂的基础区域;
用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂的发射极区域,所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反;
在发射极区域内的与发射极区域相比具有增大的第二掺杂类型掺杂浓度的多个区域;以及
多个分离的金属焊垫,这些焊垫均沿着在发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的区域布置,并且每个焊垫至少部分地布置在具有增大的掺杂浓度的区域上。
2.如权利要求1所述的太阳电池,其中,所述多个金属焊垫中的至少一个金属焊垫与至少一个其它的金属焊垫没有金属的连接。
3.如权利要求1所述的太阳电池,其中,所述发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的所述多个区域包括多个线形的区域。
4.如权利要求1所述的太阳电池,其中,所述发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的所述多个区域包括在大约30Ω/sq到大约80Ω/sq范围内的薄层电阻。
5.如权利要求1所述的太阳电池,其中,所述发射极区域包括在大约80Ω/sq到大约200Ω/sq范围内的薄层电阻。
6.如权利要求1所述的太阳电池,其中,所述焊垫中的至少一些在在发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的区域中的多个但不是全部上延伸。
7.如权利要求1所述的太阳电池,其中,这些焊垫均具有大于宽度的长度,并且,这些焊垫布置成使它们的长度方向均大体上与焊垫各自所触接的在发射极区域内具有增大的掺杂浓度的区域的长度方向垂直。
8.如权利要求1所述的太阳电池,其中,这些焊垫布置成列和行,并且布置成使相邻列的焊垫相互偏移一行。
9.如权利要求1所述的太阳电池,其中,发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的这些区域中的至少一部分布置成使发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的这些区域中的至少两个在接触点互相接触;并且,
其中,这些焊垫中的至少一部分布置在各自的接触点上。
10.一种太阳电池模块,包括:
多个太阳电池,每个太阳电池包括:
用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂的基础区域;
用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂的发射极区域,所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反;
在发射极区域内的与发射极区域相比具有增大的第二掺杂类型掺杂浓度的多个区域;以及
多个分离的金属焊垫,这些焊垫均沿着发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的区域布置,并且每个焊垫至少部分地布置在具有增大的掺杂浓度的区域上;
其中,至少一部分的相邻太阳电池通过电池连接器互相电连接。
11.一种制造太阳电池的方法,所述方法包括:
形成用第一掺杂类型的掺杂剂掺杂的基础区域;
形成用第二掺杂类型的掺杂剂掺杂的发射极区域,所述第二掺杂类型所述与第一掺杂类型相反;
在发射极区域内形成与发射极区域相比具有增大的第二掺杂类型掺杂浓度的多个区域;以及
形成多个分离的金属焊垫,这些焊垫均沿着发射极区域内的具有增大的掺杂浓度的区域布置,并且每个焊垫至少部分地布置在具有增大的掺杂浓度的区域上,使得太阳电池被制造。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的