[发明专利]一种聚偏氟乙烯-三氟乙烯/镍掺杂二氧化钛复合薄膜有效
申请号: | 201210107200.8 | 申请日: | 2012-04-12 |
公开(公告)号: | CN102617958A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 朱红;匡锡文;林爽;王芳辉 | 申请(专利权)人: | 北京化工大学 |
主分类号: | C08L27/16 | 分类号: | C08L27/16;C08L27/12;C08K13/02;C08K3/08;C08K3/22;H01G9/004 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 张良 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 聚偏氟 乙烯 掺杂 氧化 复合 薄膜 | ||
技术领域
本发明涉及一种电介质材料,特别是涉及一种用于超级电容器的复合薄膜。
背景技术
近年来,随着科学的发展和技术的进步,高介电常数、高储能密度的高分子材料吸引了广大科研工作者的注意,这类材料主要应用于高储能电容器、电致伸缩人工肌肉、传感器等等领域。单一的无机陶瓷材料,虽然具有较高的介电常数和较低的介电损耗,但是它们价格昂贵,易脆,难以加工,故难以大规模生产;传统的有机高分子材料,如聚丙烯、聚偏氟乙烯,虽然具有较好的柔韧性和介电性能,但是它们的介电常数相对较低,难以满足实际需要。
发明内容
本发明的目的是提供一种PVDF-TrFE/Ni-TiO2复合薄膜,该复合介电薄膜具有较高的介电常数,良好的柔韧性,且易于加工。
本发明所述PVDF-TrFE/Ni-TiO2有机无机复合薄膜,由以下几种成分按质量百分比组成:
PVDF-TrFE 5-11wt%,Ni-TiO2 0.5-10wt%,交联剂0.01-0.1wt%,有机溶剂79-93wt%。
PVDF-TrFE/Ni-TiO2复合薄膜厚度为100-150μm。
所述交联剂为聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、硅烷偶联剂KH570、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)或烷基酚聚氧乙烯醚(OP10)中的一种。
所述有机溶剂为N,N-二甲基甲酰胺(DMF)、N,N-二甲基乙酰胺或丙酮中的一种。
纳米Ni-TiO2粒径大小为10-30nm,
本发明是按照如下步骤制备PVDF-TrFE/Ni-TiO2复合薄膜:
a、将PVDF-TrFE溶解在有机溶剂中,搅拌、超声1h;
b、在搅拌条件下向上述溶液中滴加交联剂,搅拌1h;
c、在搅拌条件下加入纳米Ni-TiO2粉末,超声搅拌,使Ni-TiO2均匀的分散在溶液中;
d、将上述溶液倒入特定模具中,放入烘箱,80℃烘干10h;
e、取出模具,冷却至室温,取下薄膜;
f、将制备得到的薄膜在120-140℃、下退火3h;即得到PVDF-TrFE/Ni-TiO2复合薄膜。
有益效果:
聚偏氟乙烯-三氟乙烯是一种介电性能优良的有机高分子材料,同时具有较好的柔韧性;二氧化钛是一种很好的无机材料,无毒,廉价且制备简单,另外它还具有较高的介电常数,可以应用于各个领域。通过掺杂金属镍,能够提高二氧化钛的介电性能。将掺杂后的纳米二氧化钛颗粒与聚偏氟乙烯-三氟乙烯通过共混的方法制备出薄膜具有较好的柔韧性和介电性能,能够应用于高储能材料领域中。
1、本发明制备工艺简单,易于用于工业化生产;
2、纳米Ni-TiO2颗粒的加入,大大提高了复合薄膜的介电常数,在频率为1000HZ时,当Ni-TiO2粉体质量分数从0%增加到2%,介电常数从13.9增加到19.2。
附图说明
图1为实施例1、2、3、4中制备的不同Ni-TiO2质量分数的复合薄膜的介电常数和介电损耗与频率的关系图。
具体实施方式
具体实施例1:对比试验
本实施方式的PVDF-TrFE/Ni-TiO2有机无机复合薄膜由以下几种成分按质量百分比组成:PVDF-TrFE:10wt%,Ni-TiO2粉体:0wt%,交联剂PVP:0.1wt%,有机溶剂DMF:89.9wt%。
具体实施例2:本实施方式的PVDF-TrFE/Ni-TiO2有机无机复合薄膜由以下几种成分按质量百分比组成:PVDF-TrFE:10wt%,Ni-TiO2粉体:0.5wt%,,交联剂PVP:0.1wt%,有机溶剂DMF:89.4wt%。
纳米Ni-TiO2粉末制备工艺:
a、将5g钛酸四丁酯溶解在无水乙醇中,搅拌30min;钛酸四丁酯添加量有何要求;
b、在搅拌条件下将3.8ml浓盐酸和1g交联剂滴加到步骤a所述溶液中,滴加完毕,搅拌1h;
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