[发明专利]LOCOS多层氧化层的集成制作方法

权利要求书

1.一种LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供所需制作多层氧化层的下层芯片结构；

步骤二、在所述下层芯片结构上制作衬垫； 

步骤三、在所述衬垫上利用光刻工艺定义第一种厚度氧化层区域，并利用腐蚀工艺在所述第一种厚度氧化层区域开口；

步骤四、在制作有第一种厚度氧化层区域开口的下层芯片结构上进行第一次氧化生长；

步骤五、第一次氧化生长后，在所述衬垫上利用光刻工艺定义第二种厚度氧化层区域，并利用腐蚀工艺在所述第二种厚度氧化层区域开口；

步骤六、在制作了第二种厚度氧化层区域开口后进行第二次氧化生长，从而形成第一和第二种厚度氧化层；

步骤七、去除所述衬垫，进行湿法回刻以调整鸟嘴，完成多层氧化层的制作。

2.根据权利要求1所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：步骤二中，制作所述衬垫包括先制作衬垫氧化层，再在所述衬垫氧化层上制作衬垫氮化硅。

3.根据权利要求1所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：所述第一种厚度氧化层包括隔离区氧化层和漂移区第一氧化层；所述第二种厚度氧化层为漂移区第二氧化层。

4.根据权利要求3所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：所述隔离区氧化层和漂移区第一氧化层的厚度为第一次氧化生长与第二次氧化生长积累而得，且均大于漂移区第二氧化层的厚度，漂移区第二氧化层的厚度由第二次氧化生长而得。

5.根据权利要求3所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：在进行第一次和第二次氧化生长前，利用离子注入工艺调整漂移区第一和第二氧化层底部的杂质浓度。

6.根据权利要求3所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：第一次氧化生长所形成的氧化层厚度为3.5 K? ~4.5K?；第二次氧化生长所形成的氧化层厚度为2.5 K? ~3.5K ?。

7.根据权利要求1所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：采用炉管进行第一和第二次氧化生长，温度为800~1100℃。

8.根据权利要求3或6任一项所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：所述湿法回刻的腐蚀液的配方为浓度49%的HF:H₂O=1:15，腐蚀时间为190~210s。

9.根据权利要求1所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于，制作n种厚度的氧化层时，在步骤六之后、步骤七之前，还包括如下步骤：

第二次氧化生长后，在所述衬垫上利用光刻及腐蚀工艺定义第三种厚度氧化层区域，在所述第三种厚度氧化层区域开口，进行第三次氧化生长，并重复该步骤直至完成第n次氧化生长，从而形成第一至第n种厚度氧化层，其中n为大于2的自然数。

10.根据权利要求9所述的LOCOS多层氧化层的集成制作方法，其特征在于：第一至第n-1种厚度氧化层的最终生长厚度为多次氧化生长累积而得，且它们的最终生长厚度T(final) 满足T(final) = T1×y1+T2×y2+…+Ti×yi，yi =0.9774-0.4482Ln(xi) ； Ti为第i次在该种厚度氧化层区域上生长的氧化层厚度，yi为第i次在第(i-1)次氧化层上再生长的氧化层厚度占第i次在硅衬底区域上生长的氧化层厚度的比例， xi 为在该区域的氧化生长次数。