[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及蚀刻方法、蚀刻装置及计算机可读存储介质。

背景技术

半导体集成电路装置的制造中包括对硅(Si)膜进行蚀刻的工艺。对硅膜进行蚀刻时，作为蚀刻气体，如专利文献1记载的那样，使用含有溴化氢(HBr)气体、三氟化氢(HF₃)气体的气体。

现有专利文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-245101号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，含有HBr气体、HF₃气体的气体使得抗蚀膜、有机膜也被蚀刻。因此，现状是：若使用抗蚀膜、有机膜作为掩模，对半导体集成电路装置的多层结构体中存在的硅膜进行蚀刻的情况下，几乎得不到充分的掩模选择比。

另外，硅膜上存在厚的硅氧化物膜的多层结构体的情况下，作为蚀刻装置，使用面向硅氧化物膜的蚀刻装置。

然而，面向硅氧化物膜的蚀刻装置不搭载HBr气体、HF₃气体。因此，难以将厚的硅氧化物膜下的硅膜一并蚀刻。

本发明提供即使对多层结构体中的硅膜，也可以使用抗蚀膜、有机膜作为掩模而进行蚀刻，并且，还可以将硅膜以及存在于该硅膜下的硅氧化物膜一并蚀刻的蚀刻方法、蚀刻装置以及使蚀刻装置执行该蚀刻方法的计算机可读存储介质。

用作解决问题的方案

本发明的第一实施方式的蚀刻方法是对包含硅氧化物膜及形成于该硅氧化物膜上的硅膜的多层结构体进行蚀刻的蚀刻方法，对前述多层结构体中的前述硅膜及前述硅氧化物膜进行蚀刻时，使用抗蚀膜或有机膜作为蚀刻的掩模，使用包含CH₂F₂气体的蚀刻气体作为蚀刻气体，将前述多层结构体中的硅膜及前述硅氧化物膜一并蚀刻。

本发明的第二实施方式的蚀刻方法为对包含硅氧化物膜、形成于该硅氧化物膜上的硅膜以及形成于该硅膜上的硅氮化物膜的多层结构体进行蚀刻的蚀刻方法，对前述多层结构体中的前述硅氮化物膜、前述硅膜及前述硅氧化物膜进行蚀刻时，使用抗蚀膜或有机膜作为蚀刻的掩模，使用包含CH₂F₂气体的蚀刻气体作为蚀刻气体，将前述多层结构体中的硅氮化物膜、前述硅膜及前述硅氧化物膜一并蚀刻。

本发明的第三实施方式的蚀刻方法是对包含第一硅氧化物膜、形成于该第一硅氧化物膜上的硅膜、形成于该硅膜上的硅氮化物膜以及形成于该硅氮化物膜上的第二硅氧化物膜的多层结构体进行蚀刻的蚀刻方法，对前述多层结构体中的前述第二硅氧化物膜、前述硅氮化物膜、前述硅膜及前述第一硅氧化物膜进行蚀刻时，使用抗蚀膜或有机膜作为蚀刻的掩模，使用包含CH₂F₂气体的蚀刻气体作为蚀刻气体，将前述多层结构体中的前述第二硅氧化物膜、前述硅氮化物膜、前述硅膜以及前述第一硅氧化物膜一并蚀刻。

本发明的第四实施方式的蚀刻装置是对包含硅氧化物膜及形成于该硅氧化物膜上的硅膜的多层结构体进行蚀刻的蚀刻装置，使用抗蚀膜或有机膜作为蚀刻的掩模对前述多层结构体中的前述硅膜及前述硅氧化物膜进行蚀刻时，向前述多层结构体供给包含CH₂F₂气体的蚀刻气体作为蚀刻气体。

本发明的第五实施方式的计算机可读存储介质为存储有在计算机上运行、控制蚀刻装置的程序的计算机可读存储介质，前述程序在执行时，使计算机控制前述蚀刻装置，以进行第一～第三实施方式中的任一个实施方式的蚀刻方法。

发明的效果

根据本发明，提供即使对多层结构体中的硅膜，也可以使用抗蚀膜、有机膜作为掩模而进行蚀刻，并且，还可以将硅膜以及存在于该硅膜下的硅氧化物膜一并蚀刻的蚀刻方法、蚀刻装置以及使蚀刻装置执行该蚀刻方法的计算机可读存储介质。

附图说明

图1为表示正在制造半导体集成电路装置的阶段的多层结构体(半导体晶圆)的截面图

图2的(A)图～(F)图为表示本发明的一个实施方式的蚀刻方法的一个例子的截面图

图3的(A)图为表示抗蚀膜的蚀刻速率的图，(B)图为表示硅膜的蚀刻速率的图

图4的(A)图为表示抗蚀膜的蚀刻速率的图，(B)图为表示硅氮化物膜的蚀刻速率的图，(C)图为表示硅氧化物膜的蚀刻速率的图

图5为表示能够执行本发明的一个实施方式的蚀刻方法的蚀刻装置的简要截面图