[发明专利]光接收元件、光接收装置以及光接收模块有效
申请号: | 201210065346.0 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102694054A | 公开(公告)日: | 2012-09-26 |
发明(设计)人: | 高林和雅 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L31/12 | 分类号: | H01L31/12 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郝新慧;张浴月 |
地址: | 日本国神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接收 元件 装置 以及 模块 | ||
1.一种光接收元件,包括:
核心,被配置为传播信号光;
第一半导体层,具有第一导电类型,所述第一半导体层被配置为沿第一方向从所述核心接收所述信号光,所述核心以所述第一方向延伸;
吸收层,被配置为吸收由所述第一半导体层接收的信号光;以及
第二半导体层,具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
2.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述核心与所述第一半导体层沿所述第一方向彼此相邻地连接。
3.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述核心的上表面比所述第一半导体层的下表面距离基板更远,并且所述核心的下表面比所述第一半导体层的上表面距离所述基板更近,所述核心与所述第一半导体层布置在所述基板上或上方。
4.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述吸收层的折射率高于所述第一半导体层的折射率。
5.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述第一半导体层的折射率高于所述核心的折射率。
6.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述核心的上表面比所述第一半导体层的上表面距离基板更近,所述核心和所述第一半导体层设置在所述基板上或上方。
7.根据权利要求6所述的光接收元件,
其中所述核心的厚度小于所述第一半导体层的厚度。
8.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述核心的上表面比所述第一半导体层的上表面距离基板更远,并且比所述吸收层的上表面距离所述基板更近,所述核心和所述第一半导体层布置在所述基板上或上方。
9.根据权利要求8所述的光接收元件,
其中所述第一半导体层的厚度不小于所述核心的厚度的一半。
10.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述核心的下表面比所述第一半导体层的下表面距离基板更远,并且比所述第一半导体层的上表面距离所述基板更近,所述核心和所述第一半导体层布置在所述基板上或上方。
11.根据权利要求10所述的光接收元件,还包括:
缓冲层,布置在所述核心与所述基板之间。
12.根据权利要求10所述的光接收元件,
其中所述第一半导体层的厚度不小于所述核心的厚度的一半。
13.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述第一半导体层、所述吸收层以及所述第二半导体层形成PIN-型光电二极管。
14.根据权利要求1所述的光接收元件,
其中所述核心和所述第一半导体层设置在同一基板上或上方。
15.根据权利要求1所述的光接收元件,还包括:
第三半导体层,形成在所述核心上。
16.一种光接收装置,包括:
波导单元,设置在所述基板的第一区域中,所述波导单元包括被配置为传播多路第一光的多个波导;以及
光电探测器单元,设置在所述基板的第二区域中,所述光电探测器单元包括被配置为从所述多个波导接收所述多路第一光的多个光接收元件,
其中所述多个波导的每一个包括:
核心,被配置为传播所述多路第一光中相应的一路第一光,以及
其中所述多个光接收元件的每一个包括:
第一半导体层,具有第一导电类型,所述第一半导体层被配置为沿第一方向从多个核心中相应的一个核心接收所述多路第一光中相应的一路第一光,所述相应的一个核心以所述第一方向延伸;
吸收层,被配置为吸收由所述第一半导体层所接收的所述相应的一路第一光;以及
第二半导体层,具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
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