[发明专利]反射式光栅光阀及其加工方法无效

专利信息
申请号: 201210061108.2 申请日: 2012-03-09
公开(公告)号: CN102602160A 公开(公告)日: 2012-07-25
发明(设计)人: 方平 申请(专利权)人: 方平
主分类号: B41J2/435 分类号: B41J2/435;G02B5/18;G02B26/00
代理公司: 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 代理人: 翁霁明
地址: 311700 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 反射 光栅 及其 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种反射式光栅光阀,它主要由硅基底(1)、二氧化硅层(2)和可移动光栅条(3)组成,其特征在于所述的硅基底(1)上设有二氧化硅层(2),在二氧化硅层(2)上设有多个可移动光栅条(3),所述的可移动光栅条(3)间相互平行且等间隔布置,可移动光栅条(3)呈中间悬空的桥梁状,其两端分别固定于二氧化硅层(2)上。

2.根据权利要求1所述的反射式光栅光阀,其特征在于所述的可移动光栅条(3)由氮化硅梁(4)和金属反射层(5)构成,氮化硅梁(4)采用低应力氮化硅材料制成,其上设有既作为反射层以增大可移动光栅条的反射度、同时也作为其上电极的金属反射层(5)。

3.根据权利要求2所述的反射式光栅光阀,其特征在于所述氮化硅梁(4)的厚度为100-200nm,宽度为25-100μm,长度为150-300μm;氮化硅梁与二氧化硅层之间的中间悬空间距为0.5-1μm;所述金属反射层(5)的材料选用金属铝或金属银构成,其厚度为50-100nm,宽度为25-100μm,长度为150-300μm;相邻两个可移动光栅条(3)之间的距离为0.5-1μm。

4.根据权利要求1所述的反射式光栅光阀,其特征在于所述的硅基底(1)的厚度为200-350μm;所述二氧化硅层2的厚度为0.6-0.8μm。

5.一种如权利要求1或2或3或4所述的反射式光栅光阀的加工方法,其特征在于所述的加工方法包括以下步骤:

1)、在硅基底1上生长二氧化硅层(2),在二氧化硅层(2)上生长硅牺牲层(9),在硅牺牲层(9)上生长氮化硅层(8);

2)、用离子蚀刻法对氮化硅层(8)进行离子蚀刻,留下氮化硅梁部分;

3)、用化学腐蚀法对牺牲层(9)进行腐蚀,掏空牺牲层(9),得到中间悬空、两端固定在二氧化硅层上的氮化硅梁(4);

4)、在氮化硅梁(4)的表面蒸镀一层金属反射层(5)。

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