[发明专利]固态成像器件及其驱动方法、成像装置以及电子设施无效
申请号: | 201210060449.8 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102685405A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 笠井弦 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H04N5/359 | 分类号: | H04N5/359;H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 驱动 方法 装置 以及 电子 设施 | ||
技术领域
本公开涉及一种固态成像器件、成像装置、电子设施、以及驱动该固态成像器件的方法。
背景技术
在多种电子设施中已经使用了电荷检测器件、电荷传输器件、固态成像器件或成像装置。在多种领域中已经使用了将物理量分布(例如,压力分布等)读取作为电信号的物理量分布检测半导体器件(所述物理量分布已经被单元构成元件(unit constituent elements)转换为电信号)、或者将图像信息处理为物理量分布的固态成像器件。例如,已经以线性形状或矩阵形式排列了单元构成元件(例如,单元像素),所述单元构成元件具有用于检测基于电磁波、压力或其它多种物理信息中的改变而产生的电荷的电荷检测功能,诸如具有对外部输入的电磁波(诸如光或辐射)的灵敏度、或者检测基于压力改变而产生的电荷。例如,在视频设施领域中,已经使用了在多种物理量中检测光的CCD(电荷耦合器件)类型的、MOS(金属氧化物半导体)类型的、或者CMOS(互补金属氧化物半导体)类型的固态成像器件(例如,参见JP-A-2008-99158)。它们将已经被单元构成元件(固态成像器件中的像素)转换为电信号的物理量分布读取作为电信号。
发明内容
这里,例如,在高强度光入射时的大信号情况下,高光溢出(blooming)现象发生,其中,电荷超出饱和值并且漏出到相邻像素。高光溢出造成图像变差,诸如曝光过度的(blown-out)高光区域的扩展或错误颜色。
因此,期望提供一种能够抑制由于高光溢出现象而引起的图像变差的技术。
本公开的第一实施例针对一种固态成像器件,其包括:其中沿着预定方向排列单元构成元件的器件部分,其中,每个单元构成元件包括检测基于物理信息改变而产生的电荷的电荷检测单元、和传输该电荷检测单元所检测的信号电荷的传输单元;以及供电电压控制部分,其能够通过向传输单元(具体地,向其控制电极等)供应用于抑制高光溢出的控制电压来传输该电荷检测单元所检测的电荷的一部分、并且能够通过向传输单元供应与用于抑制高光溢出的所述控制电压不同的第一控制电压来传输该电荷检测单元所检测的电荷。在与本公开的第一实施例相关的固态成像器件的具体实施例中描述的各种固态成像器件进一步定义了与本公开的第一实施例相关的固态成像器件的有利具体示例。
本公开的第二实施例针对一种成像装置,其包括:其中沿着预定方向排列单元构成元件的器件部分,其中,每个单元构成元件包括检测基于物理信息改变而产生的电荷的电荷检测单元、和传输该电荷检测单元所检测的信号电荷的传输单元;入射系统,其将物理信息引导至电荷检测单元;以及供电电压控制部分,其能够通过向传输单元供应用于抑制高光溢出的控制电压来传输该电荷检测单元所检测的电荷的一部分、并且能够通过向传输单元供应与用于抑制高光溢出的所述控制电压不同的第一控制电压来传输该电荷检测单元所检测的信号电荷。在与第一实施例相关的固态成像器件的具体实施例中描述的各种技术和方法可施加于与本公开的第二实施例相关的成像装置,并且向其施加了所述技术和方法的配置进一步定义了与本公开的第二实施例相关的成像装置的有利具体示例。
本公开的第三实施例针对一种电子设施,其包括:其中沿着预定方向排列单元构成元件的器件部分,其中,每个单元构成元件包括检测基于物理信息改变而产生的电荷的电荷检测单元、和传输该电荷检测单元所检测的信号电荷的传输单元;供电电压控制部分,其能够通过向传输单元供应用于抑制高光溢出的控制电压来传输该电荷检测单元所检测的电荷的一部分、并且能够通过向传输单元供应用于与抑制高光溢出的所述控制电压不同的第一控制电压来传输该电荷检测单元所检测的信号电荷;以及信号处理部分,其基于该器件部分所检测的信号电荷而处理信号。在与本公开的第一实施例相关的固态成像器件的具体实施例中描述的各种技术和方法可施加于与本公开的第三实施例相关的电子设施,并且向其施加了所述技术和方法的配置进一步定义了与本公开的第三实施例相关的电子设施的有利具体示例。
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