[发明专利]固体摄像装置和相机无效
申请号: | 201210052186.6 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102683362A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 藤木翼;广田功 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335;H04N5/225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 相机 | ||
1.一种固体摄像装置,所述固体摄像装置包括:
像素单元,通过将一个所述像素单元或多个所述像素单元作为单位,所述像素单元被器件分离层与相邻的所述像素单元的组分隔开,其中:
所述像素单元具有第一导电型阱和第二导电型阱;
所述第一导电型阱接收光,并且具有进行光电转换处理从而将接收到的光转换为电荷的光电转换功能以及用于累积所述电荷的电荷累积功能;
在所述第二导电型阱中形成有晶体管,所述晶体管用于检测在所述第一导电型阱中累积的所述电荷并且具有阈值调制功能;
所述晶体管具有源极、漏极以及在所述源极与所述漏极之间的沟道形成区域中形成的栅极电极;并且
所述栅极电极被分为设置于靠近所述源极侧的主栅极和设置于靠近所述漏极侧的副栅极。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,其中,
至少在复位操作中,将中间电压施加至设置于靠近所述漏极侧的所述副栅极,所述中间电压处于施加至设置于靠近所述源极侧的所述主栅极的电压与施加至所述漏极的电压之间;并且
所述复位操作是将电荷丢弃至所述漏极的操作。
3.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,所述副栅极设置在所述第二导电型阱与所述漏极之间的势垒上方。
4.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,
在所述主栅极与所述副栅极之间设置有窄间隙;并且
将离子注入到所述间隙间的基板中。
5.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,累积的电荷和信号电荷是相同的载流子。
6.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,所述晶体管具有读取晶体管的功能、复位晶体管的功能和选择晶体管的功能。
7.根据权利要求1或2所述的固体摄像装置,其中,
所述像素单元形成于基板上,所述基板具有被光照射的第一基板表面侧和形成有器件的第二基板表面侧,
在所述像素单元内:
所述第一导电型阱形成在所述第一基板表面侧;并且
所述第二导电型阱形成在所述第二基板表面侧;
所述第一导电型阱接收来自所述第一基板表面侧的光。
8.一种相机,所述相机包括:
固体摄像装置,所述固体摄像装置用来接收来自基板的第一基板表面侧的光;以及
光学系统,所述光学系统用来将入射光引导至所述固体摄像装置的所述第一基板表面侧,其中,
所述固体摄像装置为权利要求1~7中任一项所述的固体摄像装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的