[发明专利]高速测试电路与方法有效
申请号: | 201210051692.3 | 申请日: | 2012-03-01 |
公开(公告)号: | CN102967819A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 丁达刚;王智彬;王明弘;吴俊鹏;田立勤 | 申请(专利权)人: | 补丁科技股份有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈肖梅;谢丽娜 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高速 测试 电路 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种高速测试电路与方法,特别是指一种可提升测试速度而不致受限于测试仪频率的内建高速测试电路与方法,其特别适合测试内存电路如动态随机存取内存(DRAM)。
背景技术
现有技术中进行芯片测试(尤其是在晶圆阶段测试,Wafer level test)时,使用测试仪产生测试频率与测试波形(test pattern),经芯片的接脚输入芯片内部,再由芯片根据测试波形产生结果输出至测试仪,以判断芯片是否正常。
以上现有技术的缺点是,测试的速度受限于测试仪所能产生的频率,且测试仪至芯片的线长也对测试速度造成负面的影响。因测试仪需要将测试讯号通过大负载连接线送至芯片。
有鉴于此,本发明即针对上述现有技术的不足,提出一种内建高速测试电路与方法,可使用低速的测试仪对高速芯片(例如随机存取内存RAM)进行高速测试。
发明内容
本发明目的之一在于克服现有技术的不足与缺陷,提出一种高速测试电路,可使用低速的测试仪对高速芯片进行高速测试。此高速测试电路可以内建于受测芯片中。
本发明的另一目的在于,提出一种高速测试方法。
为达上述目的,就其中一个观点言,本发明提供了一种高速测试电路,其接收自一测试仪而来的测试仪频率,并对一待测电路进行测试,包含:一倍频电路,其接收自该测试仪频率,产生N倍频率的频率输出,其中N为正实数;一测试频率产生器,其根据倍频电路的输出及测试仪频率,产生一测试频率,此测试频率在低频与高频之间切换;一测试讯号产生器,其根据该测试频率而操作,此测试讯号产生器产生测试讯号,以供传送给待测电路;以及一比较电路,其比较测试讯号产生器的输出与待测电路对测试讯号的响应讯号,产生比对结果,其中,此高速测试电路在高频测试频率下对待测电路进行高速测试,而在低频测试频率下执行低速动作。
就另一个观点言,本发明提供了一种高速测试方法,用以对一待测电路进行测试,该方法包含:接收自一测试仪而来的测试仪频率;根据该测试仪频率,产生N倍频率的频率,其中N为正实数;根据该N倍频率的频率及测试仪频率,产生一测试频率,此测试频率在低频与高频之间切换;根据该测试频率的频率产生测试讯号;传送测试讯号给待测电路,以获得待测电路对测试讯号的响应讯号;以及比较测试讯号与响应讯号,产生比对结果。
上述高速测试电路或高速测试方法中,可以产生两个测试频率,彼此之间具有延迟,以第一测试频率来产生测试讯号,但待测电路以第二测试频率来取样该测试讯号。
上述高速测试电路或高速测试方法中,在低频时该测试频率可与测试仪频率的频率相同,在高频时该测试频率可与N倍频率的频率相同。
上述高速测试电路或高速测试方法中,可接收自测试仪而来的外部命令,并在适合时将其转换为高频。
下面通过具体实施例详加说明,当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
附图说明
图1说明本发明的第一实施例;
图2说明本发明的第二实施例;
图3说明本发明的第三实施例;
图4显示与第三实施例对应的波形图;
图5说明本发明的数据比对方式示意图;
图6A-6B说明比较电路18进行比对的两种实施型态。
图中符号说明
10高速测试电路
11输出缓冲器
12倍频电路
13接收缓冲器
14测试频率产生器
14’测试频率及命令产生器
15闩锁电路
16测试讯号产生器
17缓存器
18比较电路
19逻辑电路
20待测电路
21输出缓冲器
22主要电路
23接收缓冲器
25闩锁电路
26闩锁电路
27缓存器
具体实施方式
请参考图1,其中显示本发明的第一个实施例。在待测芯片中,除了待测电路20外,另设置了内建高速测试电路10。高速测试电路10中包含倍频电路12、测试频率产生器14、测试讯号产生器16、比较电路18、逻辑电路19。
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