[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

TFT-LCD具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch，简称ADS)通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。

ADS模式液晶显示阵列基板像素电极的关键尺寸(Critical Dimension，CD)对液晶面板的显示质量有很大的影响，如果整个液晶面板内部像素电极的关键尺寸均匀性不好，会导致像素电极和公共电极之间的电场不均匀，从而影响最终的显示效果。然而ADS模式液晶面板为了增大视角，改善显示效果，将第二层透明电极(像素电极)8的图案设计为多畴的倾斜状条纹，如图1所示，该基板包括：公共电极1(可视为板状电极)、公共电极线(未示出)、栅线2、数据线3、有源层4、源电极5、漏电极6、数据线3、以及像素电极8(可视为狭缝电极)，像素电极8通过过孔71与漏电极6连接。一般像素电极8和栅线2之间的角度为7°～15°之间，这样给实际测量造成了不便。因此，精确测量像素电极关键尺寸从而为ADS模式液晶面板的最优化设计以及生产工艺提供参考，具有重要的意义。

现有TFT-LCD生产工艺中，CD测量设备自动测量垂直或平行于测量基台的图案的CD值精确度较高。然而现有ADS技术中，像素电极为倾斜状条纹，因此自动测量时会产生较大误差，甚至自动测量无法进行，需要人工手动进行测量。目前ADS型TFT-LCD设计时，都会在液晶面板的像素区域以外的不同位置设置垂直或平行于测量基台的像素电极关键尺寸监测图案，不同部位的像素电极关键尺寸和像素区域的像素电极关键尺寸有一定的差别，特别是当液晶面板尺寸较大时，该差别也会随之增大。因此，位于像素区域以外的像素电极关键尺寸监测图案不能有效的监测像素区域像素电极的关键尺寸，特别是像素电极关键尺寸的均匀性。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：提供一种能够更加快速、精确的测量像素区域像素电极的关键尺寸以及关键尺寸的均匀性的阵列基板及其制造方法、显示装置。

(二)技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种阵列基板，基底、公共电极、栅线、数据线、以及像素电极，所述公共电极形成于所述基底上方，所述像素电极呈倾斜条纹形成于所述公共电极上，在所述栅线和/或数据线上留有至少一个空隙，所述空隙的下方形成有透明导电薄膜区域，所述空隙的上方形成有垂直或平行于对应的栅线或数据线的像素电极关键尺寸监测图案，所述像素电极关键尺寸监测图案用于测量像素电极关键尺寸；所述透明导电薄膜区域的宽度不大于所述栅线或数据线的宽度，且尺寸大于所述空隙的尺寸；所述像素电极关键尺寸监测图案中像素电极的关键尺寸等于所述像素电极区域的像素电极的关键尺寸，且所述像素电极关键尺寸监测图案的尺寸小于所述空隙的尺寸。

优选地，所述像素电极关键尺寸监测图案形成于至少一个所述空隙的上方。

优选地，所述空隙为矩形或正方形；所述透明导电薄膜区域为矩形或正方形。

本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，该方法包括步骤：形成公共电极、公共电极、栅线、以及数据线的步骤，其中，在所述栅线和/或数据线上留有至少一个空隙，所述空隙的下方设置有透明导电薄膜区域，所述透明导电薄膜区域的宽度不大于所述栅线或数据线的宽度，且尺寸大于所述空隙的尺寸；形成钝化层过孔的步骤；以及形成像素电极以及在所述空隙上方形成像素电极关键尺寸监测图案的步骤，其中，所述像素电极关键尺寸监测图案垂直或平行于对应的栅线或数据线，且用于测量像素电极关键尺寸，所述像素电极关键尺寸监测图案中像素电极的关键尺寸等于像素电极区域的像素电极的关键尺寸，且所述像素电极监测图案形成于所述空隙上方，尺寸小于所述空隙的尺寸。