[发明专利]一种万向气体支撑机构有效
申请号: | 201210015583.6 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN103214187A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 魏志凌;宁军;高永强 | 申请(专利权)人: | 昆山思拓机器有限公司 |
主分类号: | C03C17/23 | 分类号: | C03C17/23 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215347 江苏省苏州市昆山*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 万向 气体 支撑 机构 | ||
技术领域
本发明涉及支撑装置领域,尤其是涉及一种气体支撑机构。
背景技术
ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)是铟锡氧化物的英文缩写,它是一种透明的导电体,通常厚度只有几千埃,在所有在透明导电体中,其具有特别优良的性能:高的可见光透过率,高的红外反射率,良好的机械强度和化学稳定性,用酸溶液等湿法刻蚀工艺能很容易形成一定的电极图极,制备相对比较容易等,这使它广泛用于各种电子及光电子器件,如手机和电脑等平板显示领域。因此,对ITO薄膜玻璃的表面质量要求非常高。
20世纪90年代初,随着LCD器件的飞速发展,对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加,国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线,但由于进口设备的价格昂贵,技术服务不方便等因素,使许多厂商还是望而却步。
80年代末,中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。90年代中期,随着国内LCD产业的发展,对ITO产品的需求量增大的同时,对产品的质量有了新的要求,因此出现了第二代ITO镀膜生产线。99年,有效的解决了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的沉积速率慢影响生产线的产能和设备的利用率等一系列问题,同时出现了第三代大型高档ITO薄膜生产线。随着反射式LCD,增透式LCD、LCOS图影机背投电视等显示器件的发展,对ITO薄膜产品提出了更高的要求,SiO2/ITO两层膜结构的ITO薄膜材料满足不了使用的需要,而比须采用多层复合膜系已达到产品的高反射性、或高透过率等光学性能要求。积累多年的设计开发经验,国内生产企业推出了第四代大型多层薄膜生产线。该生产线由15个真空室组成,采用全分子泵无油真空系统、使用了RF/MF/DC三种磁控溅射工艺、通过PEM/PCV进行工艺气体的控制。该生产线具有连续沉积五层薄膜的能力。
随着PDA、电子书等触摸式输入电子产品的悄然兴起,相应材料的制成设备也应运而生。由于触摸式产品工作原理的特殊性,其所需的ITO薄膜必须是在柔性材料(PET)上制成的,薄膜的沉积温度不能太高(小于120℃),同时要求ITO膜层较薄、面电阻高而且均匀,所以对ITO薄膜的沉积工艺提出了严格的要求。
随着对ITO薄膜制作工艺要求的进一步苛刻,对ITO薄膜制品在加工、处理、运输过程中,有着更加严格的要求。
早期的ITO膜玻璃均为单面镀膜,随着iphone手机等设备的出现越来越多地采用双面ITO膜玻璃。在ITO薄膜玻璃制备、加工领域中,使用的支撑机构大多比较粗糙,很多直接使用支撑平台,不仅增大轻薄的ITO薄膜玻璃与平台的接触面,容易沾上较多的灰尘,而且也容易在ITO薄膜玻璃与支撑平台发生相对位移时,发生摩擦,造成ITO薄膜玻璃表面划伤,同时在取放时也不是非常方便。鉴于此,在降低轻薄ITO薄膜制品与接触面之间的多少和摩擦,以减少可能造成的表面污染和可能发生的相对移动时造成的损伤,成为一种理想的选择。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种新型万向气体支撑机构,所述新型万向气体支撑机构可降低工件与接触球体之间的摩擦力,降低两者之间的磨损,允许球体与接触件任意方向都可以存在位移,并且以提供精确的预定压力;同时,还可以减少工件接触表面,降低可能存在的污染。
根据本发明实施例的一种新型万向气体支撑机构,包括:基板,内部加工有通气管道;排布在基板上的万向气体支撑柱阵列;所述万向气体支撑柱,包括球体,气体支撑柱体。
根据本发明实施例的新型万向气体支撑机构,输入的气体由气压装置通过与之相联的基板内设的通气管道,经气体支撑柱体内设的通孔输入气体支撑柱体上部的球冠腔室,对置于柱体上部球冠腔室的球体施加压力,使球体上浮,向外传递支撑力;且球体可以进行任意方向转动,可降低球体与和球体相接触的接触件之间存在的摩擦力,大大降低了和球体相接触的接触件的磨损;同时,由于球体与ITO薄膜玻璃为点接触,不会形成较大接触面,对可能存在的污染起了明显的预防作用。
所述新型万向气体支撑机构还包括气压调节装置,所述气压调节装置与基板通气管道相联。
所述万向气体支撑柱阵列规则排布于所述基板上。
其中可选地,所述万向气体支撑柱阵列可以以相同规则排布于所述基板上。
优选地,所述万向气体支撑柱阵列可以以错位排列规则排布于所述基板上。
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