[发明专利]磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置无效

专利信息
申请号: 201210015408.7 申请日: 2012-01-18
公开(公告)号: CN102629475A 公开(公告)日: 2012-08-08
发明(设计)人: 石桥信一;冈田翼;山根明;茂智雄;上田学;王志鹏;村上雄二 申请(专利权)人: 昭和电工株式会社
主分类号: G11B5/84 分类号: G11B5/84
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 记录 介质 制造 方法 再生 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及用于硬盘装置(HDD)等中的磁记录介质的制造方法和磁记录再生装置。

背景技术

近年来,硬盘装置、软盘装置、磁带装置等的磁记录装置的应用范围显著地增大,在其重要性增加的同时,对于在这些装置中所使用的磁记录介质,正在谋求其记录密度的显著提高。特别是引入MR磁头和PRML技术以来,面记录密度的上升更加加剧,近年来还引入了GMR磁头和TMR磁头等,正在以一年约1.5倍的速度持续增加,

对于这些磁记录介质,要求今后达到更高的记录密度。因此,要求实现磁性层的高矫顽力化、高信噪比(SNR)和高分辨率。另外,近年来,在线记录密度的提高的同时通过磁道密度的增加来使面记录密度上升的努力也在继续。

在最新的磁记录装置中,磁道密度已达到了250kTPI。但是,如果将磁道密度提高下去,则相邻的磁道间的磁记录信息会相互干扰,其边界区域的磁化迁移区域成为噪声源,从而容易产生损害SNR的问题,这会直接导致比特误码率(Bit Error Rate)的恶化,因此对于记录密度的提高成为阻碍。

为了使面记录密度上升,需要将磁记录介质上的各记录位的尺寸变得更微细,在各记录位确保尽可能大的饱和磁化和磁性膜厚。另一方面,如果将记录位微细化下去,则每一比特的磁化最小体积变小,产生因热摆造成的磁化翻转而使记录数据消失的问题。

另外,如果将磁道密度提高下去,则磁道间距离接近,因此磁记录装置在要求极高精度的磁道伺服技术的同时,一般采用下述方法:宽幅地实行记录,为了尽量排除来自相邻磁道的影响,再生比记录时窄地实行。但是,在该方法中,虽然可以将磁道间的影响抑制为最小限度,但难以充分获得再生输出,其结果存在难以确保充分的SNR的问题。

作为解决这样的热摆的问题和确保SNR、确保充分的输出的方法之一,曾进行了下述尝试:在记录介质表面形成沿磁道的凹凸,将记录磁道彼此物理性地分离,由此提高磁道密度。这样的技术一般被称为分离磁道法(discrete track method),将由此制造了的磁记录介质称为分离磁道介质。另外,也有制造将同一磁道内的数据区域进一步分割了的所谓图案化介质的尝试。

作为分离磁道介质的一例,已知在表面形成了凹凸图案的非磁性基板上形成磁记录介质,形成物理性地分离了的磁记录磁道和伺服信号图案的磁记录介质(例如,参照专利文献1)。

该磁记录介质,是在表面具有多个凹凸的基板的表面隔着软磁性层形成强磁性层,再在其表面上形成了保护膜的磁记录介质。在该磁记录介质中,在凸部区域形成了与周围物理性地分隔了的磁记录区域。

根据该磁记录介质,能够抑制在软磁性层中的磁畴壁产生,因此难以出现热摆的影响,也没有相邻的信号间的干扰,所以能够形成噪声少的高密度磁记录介质。

分离磁道法有:在形成了由几层的薄膜构成的磁记录介质后形成磁道的方法;和预先在基板表面直接或者在用于磁道形成的薄膜层上形成了凹凸图案后,进行磁记录介质的薄膜形成的方法(例如,参照专利文献2、3)。

其中,前者的方法被称为磁层加工型。但是,在该方法的情况下,由于在介质形成后实施对表面的物理加工,因此存在介质在制造工序中容易被污染,并且制造工序变得非常复杂的缺点。另一方面,后者的方法被称为压花加工型。但是,在该方法的情况下,虽然在制造工序中介质难以被污染,但是由于形成于基板上的凹凸形状被在其上成膜了的膜所继承,因此存在一边在介质上浮起一边进行记录再生的记录再生磁头的浮起姿势、浮起高度变得不稳定的问题。

另外,曾公开了对预先形成了的磁性层注入氮、氧等的离子或者照射激光,由此使该部分的磁特性变化从而形成分离磁道介质的磁道间区域的方法(例如,参照专利文献4~6)。

此外,曾公开了在磁性层的表面形成了凹凸图案后,形成覆盖其表面的非磁性层,将该非磁性层的表面通过斜方离子束蚀刻、CMP(Chemical Mechanical Polishing)平滑化,由此形成磁记录图案的方法(例如,参照专利文献7)。

现有技术文献

专利文献1:日本特开2004-164692号公报

专利文献2:日本特开2004-178793号公报

专利文献3:日本特开2004-178794号公报

专利文献4:日本特开平5-205257号公报

专利文献5:日本特开2006-209952号公报

专利文献6:日本特开2006-309841号公报

专利文献7:日本特开2005-135455号公报

发明内容

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昭和电工株式会社,未经昭和电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210015408.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top