[发明专利]一种断路器热记忆电路及其充电调节方法

权利要求书

1.一种根据电流独立调节充电的断路器热记忆电路，其特征在于包括：

电流采样电路、微处理器、充放电电路、电压采样电路、PWM比较发生电路；

所述电流采样电路与PWM比较发生电路的输入相连接，将回路电流的电流采样信号提供给PWM比较发生电路；

所述微处理器与PWM比较发生电路连接，将参考电压提供给PWM比较发生电路；

所述PWM比较发生电路的输出与充放电电路连接，用以驱动充放电电路是否充电；

所述电压采样电路的输入与充放电电路连接，所述电压采样电路的输出与微处理器连接，将充放电电路的电压信息反馈给微处理器。

2.如权利要求1所述的断路器热记忆电路，其特征在于：所述PWM比较发生电路包括第一电阻、第二电阻和第一运算放大器；

第一电阻一端连接电流采样电路的输出，另一端连接第一运算放大器的正向输入端；

第二电阻一端连接微处理器的DA脚，另一端连接第一运算放大器的反向输入端，微处理器的DA脚输出的参考电压经第二电阻提供给所述PWM比较发生电路。

3.如权利要求1所述的断路器热记忆电路，其特征在于：所述充放电电路包括第三电阻、第四电阻、第五电阻、开关单元、二极管、储能电容；

第三电阻一端连接所述PWM比较发生电路的输出端，另一端连接开关单元，当电流过载时，所述PWM比较发生电路通过第三电阻驱动开关单元导通；

充电电压VCC在开关单元导通后，经第四电阻和二极管对储能电容充电；

所述电压采样电路的输入与储能电容的正极连接；

储能电容充电，直到断路器累积能量达设定值触发跳闸后，与储能电容并联的第五电阻进行放电。

4.如权利要求3所述的断路器热记忆电路，其特征在于：开关单元采用场效应管MOSFET；

第三电阻的另一端连接MOSFET的门极；

第四电阻一端连接VCC，另一端连接MOSFET的漏极；

二极管阳极连接MOSFET的源极，二极管阴极连接储能电容的正极；

第五电阻一端连接储能电容的正极，另一端连接储能电容的负极并接地。

5.如权利要求1所述的断路器热记忆电路，其特征在于：所述电压采样电路包括第六电阻、第七电阻、第二运算放大器；

第六电阻的一端与所述充放电电路连接，另一端与第二运算放大器的正向输入端连接；

第七电阻的一端与第二运算放大器的输出端连接，另一端与微处理器的AD连接。

6.如权利要求1所述的断路器热记忆电路，其特征在于：所述PWM比较发生电路包括第一电阻、第二电阻、比较器和上拉电阻；

第一电阻一端连接电流采样电路的输出，另一端连接比较器输入端；

第二电阻一端连接微处理器的DA脚，另一端连接比较器另一输入端，微处理器的DA脚输出的参考电压经第二电阻提供给所述PWM比较发生电路；

比较器输出端连接上拉电阻。

7.如权利要求3或4所述的断路器热记忆电路，其特征在于：第四电阻是充电时的限流电阻。

8.权利要求1至6所述的根据电流独立调节充电的断路器热记忆电路的充电调节方法，包括：

所述PWM比较发生电路基于回路电流的采用信号及参考电压驱动充放电电路充电，当回路电流超过设定阈值时，PWM比较发生电路驱动充放电电路充电，当回路电流没有超过设定阈值时，PWM比较发生电路不会驱动充放电电路充电。

9.如权利要求8所述的充电调节方法，还包括：

当回路电流超过设定阈值时，所述PWM比较发生电路产生的驱动信号的占空比由回路电流的大小决定，当回路电流越大时，驱动信号的占空比越大，充放电电路充电越快。

10.如权利要求8所述的充电调节方法，还包括：

所述电压采样电路将电压信息反馈给微处理器，在重复上电时提供能量剩余等效值给微处理器处理，作为此次能量累积的基数。