[发明专利]基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路有效

专利信息
申请号: 201210008252.X 申请日: 2012-01-12
公开(公告)号: CN102624369A 公开(公告)日: 2012-08-01
发明(设计)人: 雷红军;徐挺;石万文 申请(专利权)人: 苏州华芯微电子股份有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215011 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 基于 基准 复位 可变 por 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种集成电路中的上电复位电路,特别涉及一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路。 

背景技术

上电复位电路是当电源电压高于或低于某一个电压值时产生的复位信号给锁存器和(或)模拟电路用。常规的电阻和电容(即RC)复位电路随工艺和温度的不同,其变化比较大。 

图1为传统的带隙基准源电路,图中:运算放大器A1的输出端连接R4,R1的一端连接R4的输出端,另一端分别于PNP三极管Q1的发射极、运算放大器A1的正输入端连接,Q1的集电极、基极均接地;R2的一端接R4的输出端,另一端分别与R3、运算放大器A1的负输入端连接,R3的输出端与PNP三极管Q2的发射极连接,Q2的集电极、基极均接地。调整电阻的比例和PNP的面积比可以得到基准电压Vref。图1中,如果将A1的输出与R4的连接断开,R4接电源,A1的输出就是复位信号,这样就构成了传统的基于带隙基准源的上电复位电路,该电路的复位点只能在带隙基准电压1.25V附近。 

基于上述原因,设计一种结构简单,随工艺和温度变化比较小,复位点相对比较灵活的上电复位电路是本领域技术人员一个亟需解决的问题。 

发明内容

针对上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的是提供一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路,使得其随工艺和温度变化比较小,且复位点相对比较灵活。 

本发明的技术方案是:一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路,包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP三极管、第二PNP三极管以及运算放大器,电源输入端连接第四电阻,所述第五电阻连接在第四电阻的输出端与地之间,所述第一电阻一端连接第四电阻的输出端,另一端分别与第一PNP三极管的发射极和运算放大器的正输入端连接,所述第一PNP三极管的集电极和基地接地,所述第二电阻一端连接第四电阻的输出端,另一端分别于第三电阻和运算放大器的负输入端连接,所述第三电阻的输出端与第二PNP三极管的发射极连接,所述第二PNP三极管的集电极和基地接地。 

进一步地,所述第二PNP三极管的发射极面积是第一PNP三极管的发射极面积的一倍以上。优选地,所述第二PNP三极管Q2的发射极面积是第一PNP三极管Q1的发射极面积的8倍或24倍。 

本发明的有益效果是: 

本发明在传统的基于带隙基准源的电路中增加一个电阻可实现复位点大于1.25V且随工艺和温度变化比较小的电压值。 

本发明电路结构简单,容易实现,通用性强,复位信号POR随工艺和温度变化比较小,可广泛应用于各类系统,特别是应用于对复位电压点要求比较高的电源管理和功率因数校正等系统中。 

附图说明

图1是带隙基准源电路的原理图; 

图2是本发明实施例1的电路原理图。 

具体实施方式

应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。 

参照附图2,提出本发明的具体实施例2,如图所示,一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路,包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一PNP三极管Q1、第二PNP三极管Q2以及运算放大器A2,电源输入端VCC连接第四电阻R4,所述第五电阻R5连接在第四电阻R4的输出端与地之间,所述第一电阻R1一端连接第四电阻R4的输出端,另一端分别与第一PNP三极管Q1的发射极和运算放大器A2的正输入端连接,所述第一PNP三极管Q1的集电极和基地接地,所述第二电阻R2一端连接第四电阻R4的输出端,另一端分别于第三电阻R3和运算放大器A2的负输入端连接,所述第三电阻R3的输出端与第二PNP三极管Q2的发射极连接,所述第二PNP三极管Q2的集电极和基地接地。 

所述第二PNP三极管Q2的发射极面积是第一PNP三极管Q1的发射极面积的一倍以上。优选为,所述第二PNP三极管Q2的发射极面积是第一PNP三极管Q1的发射极面积的8倍或24倍。图2中用A表示发射极面积,第二PNP三极管Q2的发射极面积是第一PNP三极管Q1的发射极面积的n倍,其中n大于1。 

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