[发明专利]基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路有效
| 申请号： | 201210008252.X | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN102624369A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 雷红军;徐挺;石万文 | 申请（专利权）人： | 苏州华芯微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 基准 复位 可变 por 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第一PNP三极管、第二PNP三极管以及运算放大器，电源输入端连接第四电阻，所述第五电阻连接在第四电阻的输出端与地之间，所述第一电阻一端连接第四电阻的输出端，另一端分别与第一PNP三极管的发射极和运算放大器的正输入端连接，所述第一PNP三极管的集电极和基地接地，所述第二电阻一端连接第四电阻的输出端，另一端分别于第三电阻和运算放大器的负输入端连接，所述第三电阻的输出端与第二PNP三极管的发射极连接，所述第二PNP三极管的集电极和基地接地。
2.根据权利要求1所述的基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，其特征在于：所述第二PNP三极管的发射极面积是第一PNP三极管的发射极面积的一倍以上。
3.根据权利要求2所述的基于带隙基准源且复位点可变的上电复位POR电路，其特征在于：所述第二PNP三极管的发射极面积是第一PNP三极管的发射极面积的8倍或24倍。
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