[发明专利]一种低成本制备双轴织构氧化物缓冲层的方法无效
| 申请号： | 201210007749.X | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103208586A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘志勇;蔡增辉;白传易;鲁玉明;蔡传兵 | 申请（专利权）人： | 上海恒云能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200072 上海市广延路35*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低成本 制备 双轴织构 氧化物 缓冲 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种通过电沉积和后续热处理制备双轴织构二元或三元氧化物缓冲层薄膜的方法，其特征是：通过电沉积形成的是氧化物薄膜，且形成的氧化物薄膜具有良好的面内和面外织构，且表面粗糙度为纳米级。
2.根据权利要求1所述的双轴织构氧化物缓冲层制备方法，其特征是，在电沉积的过程中通过施加磁场的方法显著降低双轴织构氧化物薄膜的表面粗糙度，提高薄膜表面质量。
3.根据权利要求1所述的双轴织构氧化物缓冲层制备方法，其特征是，所述二元或者三元氧化物缓冲层是指RexOy，RexMnyOz和RexZryOz等，其中Re为Y，Zr及Ce、Gd、Ho等稀土元素。
4.根据权利要求1所述的双轴织构氧化物缓冲层制备方法，其特征是，所述的双轴织构的氧化物缓冲层可以沉积一层，也可以沉积多层。
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