[发明专利]差分ROM

权利要求书

1.一种差分只读存储器阵列，包括：

差分读出放大器，连接至第一位线和第二位线；以及

第一位单元，连接至第一字线以及所述第一位线和所述第二位线，所述至少一个位单元包括：

第一晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极、连接至所述第一位

线的漏极、以及连接至第一电源线的源极；以及

第二晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极，

其中，所述第二晶体管的源极和漏极：

均连接至所述第二位线，或者

均不连接至所述第二位线。

2.根据权利要求1所述的差分只读存储器阵列，其中，所述第二晶体管的源极和漏极连接在一起并且连接至所述第二位线。

3.根据权利要求2所述的差分只读存储器阵列，进一步包括：第二位单元，连接至所述第一字线以及第三位线和第四位线，所述第二位单元包括：

第三晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极、连接至所述第三位线的漏极、以及连接至所述第一电源线的源极；以及

第四晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极和连接至所述第四位线的漏极和源极。

4.根据权利要求2所述的差分只读存储器阵列，进一步包括：第二位单元，连接至第二字线以及所述第一位线和所述第二位线，所述第二位单元包括：

第三晶体管，具有连接至所述第二字线的栅极、连接至所述第一位线的漏极、以及连接至所述第一电源线的源极；以及

第四晶体管，具有连接至所述第二字线的栅极和连接至所述第二位线的漏极和源极。

5.根据权利要求2所述的差分只读存储器阵列，进一步包括：第二位单元，连接至第二字线以及所述第三位线和所述第四位线，所述第二位单元包括：

第三晶体管，具有连接至所述第二字线的栅极和连接至所述第一位线的源极和漏极；以及

第四晶体管，具有连接至所述第二字线的栅极、连接至所述第二位线的漏极、以及连接至所述第一电源线的源极。

6.根据权利要求1所述的差分只读存储器阵列，其中，所述第二晶体管的漏极和源极与所述第一和第二字线断开，

并且，所述差分只读存储器阵列进一步包括：第二位单元，连接至所述第一字线并且设置在第二位线和第三位线之间，所述第二位单元包括：

第三晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极、连接至所述第三位线的漏极、以及连接至所述第一电源线的源极；以及

第四晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极和不连接至所述第四位线的漏极和源极。

7.一种半导体存储器，包括：

多个差分读出放大器，每个均连接至各自位线对；以及

多个差分只读位单元，布置成多行和多列，多行中的每行都与各自字线相关，并且多列中的每列都与各自位线对相关，

其中，第一位单元设置在第一行中，并且包括：

第一晶体管，具有连接至第一字线的栅极、连接至第一电源的源极、以及连接至所述第一位线的漏极；以及

第二晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极以及源极和漏极，所述源极和所述漏极：

均连接至所述第二位线，或者

均不连接至所述第二位线。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器，其中，所述第一位单元被配置成将逻辑零输出至所述第一位线，并且所述第二晶体管的所述源极和所述漏极均连接至所述第二位线。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器，其中，所述第一行包括第二位单元，所述第二位单元包括：

第三晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极、连接至所述第一电源的源极、以及连接至所述第三位线的漏极；以及

第四晶体管，具有连接至所述第一字线的栅极和连接至第四位线的源极和漏极。

10.根据权利要求8所述的半导体存储器，其中，所述第一位单元和第二位单元设置在第一列中，所述第二位单元被配置成在读取操作期间将逻辑零输出至所述第一位线，并且包括：

第三晶体管，具有连接至第二字线的栅极、连接至所述第一电源的源极、以及连接至所述第一位线的漏极；以及

第四晶体管，具有连接至所述第二字线的栅极和连接至所述第二位线的源极和漏极。