[发明专利]超疏水表面的制备方法

权利要求书

1.超疏水表面的制备方法，其特征在于首先在任意高分子基片表面采用刻蚀的方法制备出与基片材料为同一材料的柱状阵列的一级结构，再在柱状阵列的一级结构的表面沉积氧化锌种子层，随后将基片放入可生长氧化锌纳米线阵列的生长液中，使一级结构的表面生长出氧化锌纳米线阵列的二级结构，再将制备了一级和二级结构的高分子基片浸入溶有疏水物质的溶液，使高分子基片上的一级和二级结构的表面完全附着疏水物质物质后，将高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。

2.根据权利要求1所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于在任意高分子基片材料表面用离子束刻蚀办法，在基片表面形成基片材料的微米柱阵列的一级结构。

3.根据权利要求1所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于先在任意高分子基片表面上旋涂的光刻胶，再用聚焦离子束技术进行曝光，然后显影，得到光刻胶点阵，然后进行离子束刻蚀，使基片表面形成其顶端带有光刻胶的基片材料的高分子微米柱阵列的一级结构，然后除去其顶端的光刻胶。

4.根据权利要求1所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于先在任意高分子基片表面上旋涂的光刻胶，再用电子束曝光技术进行曝光，然后显影，得到光刻胶点阵，然后进行离子束刻蚀，使基片表面形成其顶端带有光刻胶的基片材料的高分子微米柱阵列的一级结构，然后除去其顶端的光刻胶。

5.根据权利要求1所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于先在任意高分子基片的表面利用图形掩膜和光刻技术，做出光刻胶点阵，然后，将负载有光刻胶点阵的高分子基片进行离子束刻蚀，使基片表面形成其顶端带有光刻胶的基片材料的高分子微米柱阵列的一级结构，然后除其顶端的光刻胶。

6.根据权利要求5所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于所用的高分子基片为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜，旋涂光刻胶前先将基片在90度下烘半小时，旋涂时胶机转速为3000-5000转/分钟，经曝光后在110度再烘半小时，显影后，再进行离子刻蚀时电压为1kV-10kV，电流为0.01-1.5mA，通入氩气，真空度为1×10^-3-1×10^-2Pa。

7.根据权利要求1至6所述的任一超疏水表面的制备方法，其特征在于用磁控溅射法在高分子柱状阵列表面溅射一层氧化锌种子层。

8.根据权利要求7所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于所用的可生长氧化锌纳米线阵列的生长液为20mM硝酸锌和20mM的六次甲基四胺的混合液，生长氧化锌纳米线阵列的温度为95摄氏度。

9.根据权利要求8所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于所用的可生长氧化锌纳米线阵列的生长液为25mM硝酸锌+12.5mM六次甲基四胺+5mM分子量为800的聚乙烯亚胺和0.35M氨水组成的混合溶液，生长氧化锌纳米线阵列的温度为87.5摄氏度，并每隔2.5小时更换新的反应液。

10.根据权利要求9所述的超疏水表面的制备方法，其特征在于浸入的溶有疏水物质的溶液为溶有的硬质酸的酒精溶液，溶液中硬质酸浓度为5mmol/L。

11.超疏水表面的制备方法，其特征在于首先采用浇筑成型法制备出表面带有柱状阵列的一级结构的高分子材料，再在柱状阵列的一级结构的表面沉积氧化锌种子层，随后将基片放入可生长氧化锌纳米线阵列的生长液中，使一级结构的表面生长出氧化锌纳米线阵列的二级结构，再将制备了一级和二级结构的高分子基片浸入溶有疏水物质的溶液，使高分子基片上的一级和二级结构的表面完全附着疏水物质物质后，将高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。

12.超疏水表面的制备方法，其特征在于首先采用热压成型法制备出表面带有柱状阵列的一级结构的高分子材料，再在柱状阵列的一级结构的表面沉积氧化锌种子层，随后将基片放入可生长氧化锌纳米线阵列的生长液中，使一级结构的表面生长出氧化锌纳米线阵列的二级结构，再将制备了一级和二级结构的高分子基片浸入溶有疏水物质的溶液，使高分子基片上的一级和二级结构的表面完全附着疏水物质物质后，将高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。

13.超疏水表面的制备方法，其特征在于首先采用预聚体浇入模子然后聚合的方法制备出表面带有柱状阵列的一级结构的高分子材料，再在柱状阵列的一级结构的表面沉积氧化锌种子层，随后将基片放入可生长氧化锌纳米线阵列的生长液中，使一级结构的表面生长出氧化锌纳米线阵列的二级结构，再将制备了一级和二级结构的高分子基片浸入溶有疏水物质的溶液，使高分子基片上的一级和二级结构的表面完全附着疏水物质物质后，将高分子基片取出，晾干，得到所需要的超疏水表面。